微传感器

作品数：328被引量：985H指数：15
导出分析报告
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
相关作者：马炳和邓进军罗剑廖小平杨波更多>>
相关机构：东南大学西北工业大学北京航空航天大学中国科学院更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
硅基PZT压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第5期778-782,共5页娄利飞 杨银堂 李跃进 张萍 
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微传感器进行了结构和版图设计.根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件.对PZT压电薄膜的制备和微细图形化进行了较为详细...
关键词：锆钛酸铅 压电薄膜 微传感器 湿法化学刻蚀 
一种适用于微传感器读出电路的低噪声、低失调斩波放大器被引量：19
《Journal of Semiconductors》2007年第5期796-801,共6页尹韬 杨海钢 刘珂 
提出一种适合微传感器读出电路的高精度折叠共源共栅放大器.基于斩波技术和动态元件匹配技术,降低了折叠共源共栅放大器的噪声和失调,采用低阻节点斩波的方法和低压共源共栅电流镜扩大了放大器可处理的输入信号带宽和输出电压摆幅.芯片...
关键词：斩波放大器 低噪声 低失调 微传感器 
双槽电化学腐蚀法制备介孔硅的热导率
《Journal of Semiconductors》2007年第3期420-424,共5页房振乾 胡明 张伟 张旭瑞 杨海波 
国家自然科学基金(批准号:60371030;60071027);天津市自然科学基金(批准号:023603811)资助项目
提出了一个基于有效介质理论分析介孔硅层传热机理的理论模型,对影响介孔硅有效热导率的因素包括孔隙率、硅的恒容热容和硅的声子平均自由程进行了理论分析,得出用于计算介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备孔隙率分别...
关键词：理论模型 介孔硅 微喇曼光谱 有效热导率 微传感器 微电子机械系统 
基于SOI的集成硅微传感器芯片的制作被引量：9
《Journal of Semiconductors》2007年第2期302-307,共6页徐敬波 赵玉龙 蒋庄德 张大成 杨芳 孙剑 
国家自然科学基金(批准号:50535030;50475085);国家重点基础研究发展规划(批准号:2004CB619302);教育部"新世纪优秀人才支持计划"(批准号:NCET-05-0842)资助项目~~
为满足小体积、多参数测量的要求,采用SOI硅片,设计了一种测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.根据集成传感器的结构,制定了相...
关键词：集成传感器 SOI MEMS 芯片 
微热板式低气压传感器的研制被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1412-1417,共6页张凤田 唐祯安 余隽 金仁成 高仁璟 江胜峰 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90207003;599955505)~~
研制了一种采用CMOS工艺和表面牺牲层技术加工的微热板式低气压传感器.该微热板为四臂支撑悬空矩形板,其边长为75μm,支撑桥长为60μm,板下气隙高度为0.5μm.采用经典傅里叶传热理论分析了恒电流工作方式下气压对微热板瞬态和稳态热特...
关键词：微热板 气压传感器 微传感器 传热 恒电流 
硅压阻输出微传感器的1/f噪声被引量：1
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1182-1187,共6页于晓梅 江兴流 J.Thaysen O.Hansen A.Boisen 
国家留学基金管理委员会资助项目~~
从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声 .选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料 ,设计了 16种不同尺寸的力敏 Wheastone电桥 ,并对器件分别进行了两种不同浓度的掺杂和两种不同条件的退火 ,共获得 2 ...
关键词：l/f噪声 微传感器 硅压阻输出 
SiO_2钝化腹对硅／玻璃静电键合的影响被引量：5
《Journal of Semiconductors》1995年第5期391-394,共4页黄庆安 童勤义 
本文分析了硅／玻璃静电键合过程中硅表面ＳｉＯ２钝化膜的作用．ＳｉＯ２膜的存在使键合过程中的静电力减弱，键合工艺所选择的电压上限受ＳｉＯ２膜击穿电压的控制，对于商用抛光硅片与玻璃，要完成良好的键合，一般ＳｉＯ２厚度要小...
关键词：静电键合 硅 玻璃 二氧化硅 钝化膜 微传感器 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部