微米工艺

作品数：228被引量：66H指数：3
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超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型被引量：2
《微纳电子技术》2006年第4期203-208,共6页段成华 柳美莲 
国家863计划项目(2002AA141041)
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的...
关键词：模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区 
深亚微米CMOS电路漏电流快速模拟器被引量：3
《计算机研究与发展》2004年第5期880-885,共6页徐勇军 陈治国 骆祖莹 李晓维 
国家自然科学基金重点项目 ( 90 2 0 70 0 2);国家"八六三"高技术研究发展计划基金项目( 2 0 0 1AA1110 70 )
随着工艺的发展 ,功耗成为大规模集成电路设计领域中一个关键性问题 降低电源电压是减少电路动态功耗的一种十分有效的方法 ,但为了保证系统性能 ,必须相应地降低电路器件的阈值电压 ,而这样又将导致静态功耗呈指数形式增长 ,进入深亚...
关键词：漏电功耗 深亚微米工艺 BSIM漏电模型 
深亚微米工艺下互连线的串扰建模被引量：3
《杭州电子工业学院学报》2003年第4期28-32,共5页彭嵘 孙玲玲 
国家863计划(90207007);浙江省自然科学基金(ZD0015)
深亚微米工艺下互连串扰问题成为IC设计中的"瓶颈"。在充分考虑互连线的电容耦合效应和电感耦合效应的前提下,提出了一种有效估算互连串扰噪声的方法。实验数据表明,该方法能有效估算各种工艺下的互连串扰,并能应用于不均匀互连线的情况...
关键词：深亚微米工艺 互连线 串扰 IC设计 电容耦合效应 电感耦合效应 
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