离子束增强沉积

作品数:103被引量:247H指数:8
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相关领域:金属学及工艺电子电信更多>>
相关作者:袁宁一柳襄怀李金华刘道新唐宾更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院上海冶金研究所西北工业大学江苏工业学院更多>>
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离子束增强沉积制备Li掺杂ZnO薄膜被引量:3
《常州大学学报(自然科学版)》2014年第1期6-9,共4页陈强 张春渤 谢建生 
利用离子束增强沉积(IBED)法制备了Li掺杂ZnO薄膜(LZO),溅射靶为Li/Zn原子比为5%ZnO的陶瓷靶,实验结果显示:IBED法制备的(LZO)薄膜具有ZnO纤锌矿结构,在500℃高纯氩气下退火35min,薄膜表现为p型导电,薄膜的最低电阻率为35.03Ω·cm,制...
关键词:Li掺杂 离子束增强沉积 退火 
室温非晶硅薄膜热电阻温度系数研究
《常州大学学报(自然科学版)》2012年第3期9-13,共5页伞振雷 谢建生 李金华 
用离子束增强沉积(IBED)方法,在SiO2/Si衬底上沉积了非晶硅薄膜和注氢的非晶硅薄膜。研究薄膜的电阻温度系数(TCR)随制备工艺的变化,分析非晶硅薄膜电阻的稳定性对电阻温度系数的影响。本征非晶硅电阻太大,虽然经过适当地退火后,TCR能...
关键词:非晶硅薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数 红外探测仪 
用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜
《廊坊师范学院学报(自然科学版)》2010年第4期50-52,共3页金铱 谢建生 李金华 袁宁一 
用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和Si O2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄...
关键词:氧化锌薄膜 退火 离子束增强沉积 
钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响被引量:5
《红外技术》2010年第3期173-176,共4页付学成 李金华 谢建生 袁宁一 
国家自然科学基金资助项目(编号:60277019)
将Ta2O5与V2O5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存...
关键词:二氧化钒薄膜 Ta掺杂 离子束增强沉积 
离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究被引量:7
《物理学报》2006年第7期3581-3584,共4页袁宁一 李金华 范利宁 王秀琴 谢建生 
采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2atm%In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,...
关键词:氧化锌薄膜 P型掺杂 离子束增强沉积 
离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件被引量:1
《长江大学学报(自然科学版)》2005年第10期359-361,共3页谢建生 李金华 袁宁一 
国家自然科学基金资助项目(60277019);江苏省自然科学基金资助项目(BK2005023)
用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜,明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现,薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到...
关键词:氧化钒薄膜 退火 离子束增强沉积 
离子束增强沉积Al-N共掺杂ZnO薄膜的制备被引量:1
《江苏工业学院学报》2005年第4期6-9,共4页谢建生 李金华 袁宁一 陈汉松 周懿 
用Al2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积 膜作Ar+/N+注入,制备Al-N共掺杂氧化锌薄膜(ANZO)。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致 密、性能良好的共掺杂...
关键词:氧化锌薄膜 退火 离子束增强沉积 
退火对IBED氧化钒薄膜结构和性能的影响被引量:2
《微细加工技术》2004年第4期36-40,63,共6页谢建生 李金华 袁宁一 
国家自然科学基金资助项目(10175027;60277019)
对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻 温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数。实验发现,沉积薄膜存在一个形成二氧化钒结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时离子束增强沉积条件的...
关键词:氧化钒薄膜 退火 离子束增强沉积 
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