离子束增强沉积

作品数：103被引量：247H指数：8
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用离子束增强沉积法制备In-N共掺杂ZnO薄膜
《廊坊师范学院学报（自然科学版）》2010年第4期50-52,共3页金铱 谢建生 李金华 袁宁一 
用In2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和Si O2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备In-N共掺杂氧化锌薄膜。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄...
关键词：氧化锌薄膜 退火 离子束增强沉积 
钽掺杂对二氧化钒多晶薄膜相变特性的影响被引量：5
《红外技术》2010年第3期173-176,共4页付学成 李金华 谢建生 袁宁一 
国家自然科学基金资助项目(编号:60277019)
将Ta2O5与V2O5均匀混合,压制成溅射靶,用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火,形成掺杂二氧化钒多晶薄膜。X射线衍射结果显示,薄膜具有单一的(002)取向。XPS测试表明,膜中V为+4价,Ta以替位方式存...
关键词：二氧化钒薄膜 Ta掺杂 离子束增强沉积 
超高温度系数V_(0.97)W_(0.03)O_2多晶薄膜的制备研究被引量：12
《物理学报》2007年第3期1790-1795,共6页李金华 袁宁一 谢太斌 但迪迪 
国家自然科学基金(批准号:10675055);江苏省自然科学基金(批准号:BK2005023);常州市工业科技攻关基金(批准号:CE2005027)资助的课题.~~
将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向单一,为VO2结构的[002]相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%;薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28℃...
关键词：二氧化钒薄膜 薄膜掺杂 离子束增强沉积 温度系数 
离子束增强沉积制备p型氧化锌薄膜及其机理研究被引量：7
《物理学报》2006年第7期3581-3584,共4页袁宁一 李金华 范利宁 王秀琴 谢建生 
采用离子束增强沉积方法在Si和SiO2/Si衬底上制备In-N共掺杂ZnO薄膜(INZO),溅射靶是用ZnO和2atm%In2O3粉体均匀混合并压制而成,在氩离子溅射ZnO靶的同时,氮、氩混合离子束垂直注入沉积的薄膜.实验结果显示INZO薄膜具有(002)的择优取向,...
关键词：氧化锌薄膜 P型掺杂 离子束增强沉积 
离子束增强沉积掺杂氧化钒薄膜的最佳退火条件被引量：1
《长江大学学报（自然科学版）》2005年第10期359-361,共3页谢建生 李金华 袁宁一 
国家自然科学基金资助项目(60277019);江苏省自然科学基金资助项目(BK2005023)
用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜,明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现,薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时沉积条件的不同而改变。选择适当的杂质和退火条件可以将VO2薄膜的相变温度降低到...
关键词：氧化钒薄膜 退火 离子束增强沉积 
离子束增强沉积Al-N共掺杂ZnO薄膜的制备被引量：1
《江苏工业学院学报》2005年第4期6-9,共4页谢建生 李金华 袁宁一 陈汉松 周懿 
用Al2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶。在Si和SiO2/Si衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积 膜作Ar+/N+注入,制备Al-N共掺杂氧化锌薄膜(ANZO)。在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致 密、性能良好的共掺杂...
关键词：氧化锌薄膜 退火 离子束增强沉积 
退火对IBED氧化钒薄膜结构和性能的影响被引量：2
《微细加工技术》2004年第4期36-40,63,共6页谢建生 李金华 袁宁一 
国家自然科学基金资助项目(10175027;60277019)
对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻 温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数。实验发现,沉积薄膜存在一个形成二氧化钒结构的临界结晶温度,该温度随薄膜制备时离子束增强沉积条件的...
关键词：氧化钒薄膜 退火 离子束增强沉积 
离子束增强沉积VO_2多晶薄膜的相变模拟被引量：4
《功能材料与器件学报》2004年第3期332-336,共5页袁宁一 李金华 李格 
国家自然科学基金资助课题(No.60277019;No.10175027)
用多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型,考虑晶格畸变和载流子对晶界势垒区的隧穿机制,在10～100oC范围内,模拟了离子束增强沉积(IBED)VO2多晶薄膜的相变。模拟结果显示,由于晶粒中间隙位置氩的存在,使VO2晶格畸变,导致了薄膜中部分晶粒的相...
关键词：VO2 多晶薄膜 离子束增强沉积 晶格畸变 晶界隧穿 相变 模拟 
离子束增强沉积VO_2多晶薄膜的温度系数被引量：6
《物理学报》2004年第8期2683-2686,共4页李金华 袁宁一 
国家自然科学基金 (批准号 :10 175 0 2 7;60 2 770 19)资助的课题~~
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 .实验测试表明 ,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好 ,薄膜的电阻温度系数 (TCR)最高可达 4 2 3% K .从成膜机理出发 ,...
关键词：红外成像器件 二氧化钒多晶薄膜 离子束增强沉积法 热电阻温度系数 退火处理 
离子束增强沉积VO_2多晶薄膜的成膜机理被引量：3
《微细加工技术》2004年第1期47-51,61,共6页李金华 袁宁一 
国家自然科学基金资助项目(10175027;60277019)
用离子束增强沉积制备高性能VO2薄膜,在溅射V2O5粉末靶的同时,用氩、氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500℃以上的退火,获得热电阻温度系数(TCR)高达4%的VO2薄膜。成膜机理是:利用高剂量氩离子注入的损伤效应使V2O5的V-O键断裂...
关键词：二氧化钒薄膜 离子束增强沉积 成膜机理 VO2 多晶薄膜 
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