门极

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两项功率半导体行业标准通过审查
《变频器世界》2024年第7期38-38,共1页
6月28日,根据《工业和信息化部2022年标准制修订计划》的有关规定,中国电子化标准研究院在北京组织召开两项行业标准审查会,由株洲中车时代半导体有限公司(以下简称“中车时代半导体”)牵头组织编制的《半导体分立器件风电用焊接型绝缘...
关键词：半导体分立器件 集成门极换流晶闸管 功率半导体 行业标准 工业和信息化部 起草单位 逆阻型 电子化 
门极驱动正压对功率半导体性能的影响
《变频器世界》2023年第12期43-45,共3页
对于半导体功率器件来说,门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响,而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗,开关损耗和短路性能来分别讨论。
关键词：功率半导体 半导体功率器件 器件特性 开关特性 门极电压 门极驱动 导通损耗 开关损耗 
IGBT驱动电路中的钳位电路
《变频器世界》2022年第10期40-41,共2页杨勇 
引言在IGBT驱动电路中有时会用到钳位电路,其主要目的是为了保护IGBT器件,避免运行参数超过集电极或者门极的极限参数,今天我们总结一下Vce以及Vge钳位电路设计使用注意事项。
关键词：IGBT驱动电路 门极 使用注意事项 钳位电路 IGBT器件 极限参数 集电极 运行参数 
IGBT门极驱动到底要不要负压
《变频器世界》2022年第5期30-32,共3页
IGBT是一个受门极电压控制开关的器件,只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关,在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极,使门极电压抬升,可...
关键词：DI/DT 门极电压 门极驱动 电流变化 电压变化 米勒电容 IGBT 高速开关 
片上变压器隔离门极驱动器的优点
《变频器世界》2021年第1期98-100,共3页无 
在许多应用中,电气隔离是一项重要的要求,特别是在涉及高功率电路和低功率电路的地方,以及高边和低边接地需要分开的地方。尽管隔离技术已经存在多年了,但已演变以满足新应用的需求,如可再生能源的逆变器、工业自动化、储能以及电动和...
关键词：IGBT/MOSFET 绝缘栅驱动器 数字隔离驱动器 米勒平台 安森美半导体 
SEMIX5可提高卓越的热性能与动态性能的标准
《变频器世界》2015年第2期25-25,共1页
SEMiX5让适用于50kW和350kW的电压为650V，1200V和1700V应用的SEMiX产品系列更完整。该带铜底板模块的高度为17mm，采用坚固耐用的功率端子和Pressfit连接，让低成本的门极驱动器无焊接装配成为可能。由于杂散电感显著减少了，运行安全...
关键词：动态性能 热性能 标准 门极驱动器 运行安全性 焊接装配 杂散电感 电机驱动 
SINAMICS SM150在热轧主传动中的应用被引量：1
《变频器世界》2012年第1期97-100,共4页朱传磊 常茂斌 曹丕磊 徐亚军 
交-交变频器传动系统是电压源型矢量控制技术产品,具有高功率因数,拥有灵活强大的通讯功能,结构简单紧凑,可靠性高,适合于低转速、大容量的场合。本文结合日照钢铁1580mm热连轧工程,介绍了交-交变频传动系统的组成、控制功能,着重介绍...
关键词：交-交变频 集成门极换流晶闸管 控制功能 
ABB ACS6000变频器
《变频器世界》2007年第1期I0008-I0008,共1页
主要特点：先进的技术，集成门极换流晶闸管IGCT最优的精度。
关键词：ABB公司 变频器 集成门极换流晶闸管 IGCT 控制理论 直接转矩 DTC 
国半推出两款可驱动大功率NOSFET的门极驱动器
《变频器世界》2004年第11期17-17,共1页
美国国家半导体公司近日推出两款属于高压功率控制集成电路系列的最新产品，分别是LM5111双通道门极驱动器及LM5112单通道门极驱动器。新产品适合驱动大型功率金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)，以及用于交流／直流与直流／直流转换...
关键词：门极驱动器 MOSFET 集成电路 驱动电路 金属氧化半导体场效应晶体管 
上海高速磁悬浮地面牵引供电系统被引量：1
《变频器世界》2004年第8期101-103,共3页王志鹏 袁登科 
本文首先简单介绍了一般磁浮列车的牵引供电系统，然后以上海高速磁浮列车的牵引供电系统为例，详细阐述了牵引变流器的工作原理，并对以门极可关断晶闸管（GTO）为开关器件的三点式逆变器作了详细的分析。
关键词：牵引供电系统 高速磁浮列车 牵引变流器 磁悬浮 GTO 地面 逆变器 开关器件 门极可关断晶闸管 
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