金属连线

作品数:6被引量:10H指数:2
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相关作者:廖小平孙伟锋陆生礼时龙兴黄如更多>>
相关机构:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华虹宏力半导体制造有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司华虹半导体(无锡)有限公司更多>>
相关期刊:《集成电路应用》《功能材料与器件学报》《微处理机》《微电子学》更多>>
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光刻工艺中硅片表面静电现象研究被引量:2
《功能材料与器件学报》2020年第4期290-299,共10页张瑜 卞玉洋 
光刻是集成电路制造中的关键工艺,通过光化学反应原理把事先制备在掩膜版上的图形转印到衬底上。光刻工艺之后,需要对光刻胶图形的关键尺寸进行检测。业界通常采用高分辨率的电子显微镜进行测量。本文从14nm工艺超厚金属连线层出现的晶...
关键词:光刻工艺 表面静电 超厚金属连线层 关键尺寸 
金属连线间形成空气隙的改进工艺研究被引量:2
《集成电路应用》2018年第7期53-55,共3页孙玉红 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(2015.150223)
在射频开管器件中,导通电阻和关断电容是衡量射频开管器件优良与否的关键参数。而后段金属连线之间的电容对整体的电容有直接影响。为了减小后段金属连线间的电容,铝互联工艺中一般采用在金属连线间形成空气隙的方法。但随着工艺节点的...
关键词:集成电路制造 金属互联 空气隙 寄生电容 射频开关 
金属连线光刻技术
《微处理机》2007年第2期14-15,19,共3页刘旸 唐冬 
介绍了一种细线条金属连线光刻技术。在溅射铝后,生长一薄层氮化硅薄膜作为减反层,利用氮化硅薄膜的光刻条件,涂覆薄胶可以保证刻出细线条,腐蚀薄层氮化硅保证线宽,同时在腐蚀铝过程中用氮化硅作掩蔽解决了薄胶问题。并在亚微米的抗辐...
关键词:线宽 薄胶 减反层 
铝连线在高端DRAM和FLASH互连金属连线的应用
《集成电路应用》2006年第11期59-60,共2页丁卫华 
铝连线工艺作为一种相对成熟的技术以其稳定的工艺,相对低廉的性价比和成熟的技术在超大规模集成电路中得到了广泛的应用。随着芯片集成度不断提高的要求.铜工艺给硅芯片的互连材料带了很大的变化.它以它的低电阻(低30%)在逻辑芯...
关键词:FLASH DRAM 互连材料 应用 连线 超大规模集成电路 金属  
通孔对金属连线温度分布的影响
《微电子学》2006年第4期385-388,共4页裴颂伟 黄河 何旭曙 鲍苏苏 
国家自然科学基金资助项目(60076013)
详细讨论了考虑通孔自热的金属连线温度分布模型,并通过该模型,计算了不同通孔直径和高度情况下,单一及并行金属连线的温度分布。计算结果表明,通孔直径和通孔高度及并行金属连线间的热耦合对金属连线温度分布有重大的影响。
关键词:集成电路 通孔 金属连线 温度分布模型 通孔自热 通孔直径 通孔高度 
一种新型的集成电路金属连线温度分析解析模型被引量:6
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1510-1514,共5页王乃龙 周润德 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 9995 5 5 0 -1)~~
研究了金属连线上的焦耳热对连线温度的影响 ,进而提出了一种新型的集成电路多层金属连线上的温度模拟器 (L Tem) .该模拟器采用一种相对简单的热学解析模型 ,详细考虑了通孔效应以及边缘效应对温度分布的影响 .模拟结果表明 ,考虑了通...
关键词:焦耳热 通孔效应 边缘传热效应 热传导 
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