静电保护电路

作品数：13被引量：8H指数：2
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一种静电保护电路的版图设计研究被引量：1
《集成电路应用》2018年第12期4-6,共3页张登军 
广东省科技计划项目(2017B090908003)
国内存储器芯片快速发展,芯片的制造工艺不断提升,国内逻辑主流工艺发展到28 nm工艺节点,非挥发性存储器NAND Flash发展到24 nm工艺节点。芯片被广泛应用到各种电子产品中,集成电路芯片的ESD失效占用很大比例。它的可靠性问题越来越被关...
关键词：集成电路设计 静电保护 版图设计 寄生三极管 静电泄放 
一种适用于纳米级存储器芯片的静电保护电路
《福建电脑》2018年第10期120-121,共2页张登军 
为了有效解决纳米级存储器芯片的静电保护问题,提出一种适用于纳米级存储器芯片的静电保护电路。电路通过静电保护侦测电路,提前泄放芯片上的静电,实现对芯片管脚的静电保护。
关键词：静电保护 侦测电路 提前泄放 
一种CCD静电保护电路的设计被引量：1
《半导体光电》2015年第3期379-381,共3页李立 翁雪涛 李晓潮 
介绍了一种适用于电荷耦合器件(CCD)的静电保护电路。在对该静电保护电路工作原理分析的基础上,通过电路仿真确定了静电保护电路中MOS管的电学参数,再由半导体器件仿真确定了其工艺条件,并按此条件制作了静电保护电路。通过人体模型静...
关键词：CCD 静电保护电路 设计 
脑电检测前置放大器静电保护电路的设计被引量：3
《电子技术应用》2013年第7期80-82,共3页王敏 陈亚光 
国家自然科学基金(30370397)
以CMOS仪表运算放大器作为脑电检测前置放大器是经常选择的技术方案。但是,在使用过程中人体静电所产生的高能电子流会击穿COMS管的绝缘栅并停留在那里,从而使得放大器无法正常工作。采用在输入回路中并接二极管或电容器的方法可以实现...
关键词：CMOS仪表放大器 静电保护 有源电容 
TFT_LCD驱动芯片GATE/SOURCE静电保护电路设计与实现
《电子质量》2009年第6期74-76,共3页唐建东 
文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电(ESD)保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路。ESD保护电路布局上,采用两排ESD电路错开呈"品字形"排列,使ESD电流均匀流通。在GATE保护电路中,采用二极管接法...
关键词：TFT_LCD驱动芯片 ESD保护 击穿电压 
砷化镓放大器件在光接收设备中应用的优势
《广播电视信息》2009年第5期65-66,共2页廖文光 毕仲益 
本文介绍砷化镓(GaAs)放大器件的特性,分析了光接收设备采用GaAs放大器件的必要性。
关键词：砷化镓放大器件非线性指标(C/N C/CTB C/CSO)静电保护电路 抗冲击电路 
砷化镓放大器件在光接收设备中应用的优势
《中国有线电视》2008年第12期1269-1270,共2页匡克生 王宇 
介绍砷化镓(GaAs)放大器件的特性,分析光接收设备采用GaAs放大器件的必要性,并阐述高电平输出的光接收设备在实际网络中应用的优势。
关键词：砷化镓放大器件 光接收设备 静电保护电路 抗冲击电路 
高性能多模可编程CMOS输出缓冲器的研究实现被引量：1
《电子器件》2008年第5期1483-1486,共4页陈子晏 马和良 陈磊 杨华 周灏 谢传文 赖宗声 景为平 
上海市国际合作基金项目(07SA04);上海市科委项目(06SA14);纳光电教育工程中心(NPAI);上海重点学科建设项目(B411);江苏省ASIC重点实验室资助(JSICK0601)
提出了一种应用于专用集成电路(ASIC)和FPGA高速IO接口的通用型数据输出缓冲器(Output Buffer)及其ESD(Electrostatic Discharge)保护电路。电路采用新型三组电源供电模式,通过编程点精确控制输出驱动能力,支持多达16种最常用的数据传...
关键词：输出缓冲器 静电保护电路 多协议支持 
利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路
《现代电子技术》2007年第20期29-32,共4页向李艳 邬齐荣 龚敏 陈畅 
传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例...
关键词：一片上静电保护 CMOS SCR ISE—TCAD 
利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路
《电子与封装》2007年第8期30-33,38,共5页向李艳 邬齐荣 龚敏 陈畅 
传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人...
关键词：静电保护 ISE—TCAD 可控硅整流器 
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