绝缘栅

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IGBT相变冷板的设计和数值模拟
《半导体技术》2025年第5期506-513,531,共9页潘子升 周俊屹 余时帆 胡桂林 
针对绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块散热中功率密度高且散热负荷随工况变化的问题,基于制冷剂对流散热和蒸发潜热的微通道沸腾相变散热技术可对IGBT芯片进行有效散热,建立了三维、伪瞬态算法稳态和流体体积(VOF)相变的综合数学模型。研究了...
关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 散热器 数值模拟 制冷剂 流体体积(VOF)模型 
基于BSIM-CMG紧凑模型的不同沟道外壳厚度n型核/壳NSFET的SPICE建模
《半导体技术》2025年第4期339-344,共6页王悦杨 马英杰 白永林 吴佳颖 廉浩哲 唐敏 刘伟景 
对一种新型的Si/Ge-核/壳纳米片场效应晶体管(NSFET)进行了SPICE建模。使用TCAD仿真获得器件特性数据,结合伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型,完成不同沟道外壳厚度的n型Si/Ge-核/壳NSFET的直流特性建模。通过...
关键词：核壳结构 纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM-CMG)紧凑模型 SPICE建模 
故障电压诱发的功率模块温升规律
《半导体技术》2025年第4期407-416,共10页刘玮琳 霍思佳 乐应波 杨程 崔昊杨 
上海市自然科学基金资助项目(23ZR424400)。
故障电压引发的功率畸变诱发绝缘栅双极晶体管(IGBT)结温瞬变,但此过程的普遍规律、关联机制尚未明确,限制了故障电压穿越期变流器中IGBT热管理策略的针对性与有效性。通过模拟多种电压故障场景,探究了故障电压诱发的机网两侧变流器功...
关键词：故障电压穿越 变流器 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 功率畸变 结温 
基于生死单元技术的IGBT芯片焊料层失效演化机理
《半导体技术》2024年第12期1097-1105,共9页龙远斌 葛兴来 王惠民 许智亮 何婕玉 
封装疲劳失效是导致绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块故障频发的重要因素,严重影响电力电子变流器可靠运行。焊料层退化演化过程复杂,亟需通过准确的模拟方法以明晰其失效机理。为此,提出了一种考虑累积损伤的IGBT芯片焊料层空洞退化演化...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 焊料层退化 生死单元技术 协同仿真 功率循环测试 
一种适用于充电机的IGBT高频驱动电路
《半导体技术》2024年第9期844-850,共7页艾胜胜 李康乐 王雷 田地 许克磊 常超 
随着国内地铁行业的快速发展,辅助系统充电机所用绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关频率已经可以达到上百千赫兹,一般的驱动器已经无法满足高频条件下对驱动信号的要求,IGBT高频驱动成为当前的研究焦点。基于MOS管开关速度快的特性以及比较...
关键词：充电机 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 高频 驱动器 欠压监测 
基于VMD-LSTM-SVR的IGBT寿命特征时间序列预测
《半导体技术》2024年第8期749-757,共9页崔京港 冯高辉 
天地科技股份有限公司科技创新创业资金专项项目(2022-2-TD-MS011)。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)失效是变频器等电力电子设备故障的主要原因,精确预测其寿命是解决该问题的方法之一,这对寿命预测模型的准确性和可靠性提出了更高要求。关断瞬态尖峰电压(Vce,peak)可以反映IGBT的老化状态,首先通过变分模态分...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 寿命预测 变分模态分解(VMD) 长短期记忆(LSTM)网络 支持向量机回归(SVR) 
基于BSIM⁃CMG紧凑模型的NSFET直流特性建模被引量：1
《半导体技术》2024年第5期442-448,共7页陈光前 王悦杨 唐敏 刘伟景 
国家自然科学基金(62174055)。
随着半导体制造工艺技术的发展,纳米片场效应晶体管(NSFET)成为下一代集成电路的核心器件,建立能准确描述NSFET特性的SPICE模型对提高基于NSFET的集成电路设计的成功率和缩短先进工艺的开发周期至关重要。结合Sentaurus TCAD仿真与伯克...
关键词：纳米片场效应晶体管(NSFET) TCAD 伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管公共多栅(BSIM⁃CMG)紧凑模型 直流特性 参数提取 
1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计
《半导体技术》2024年第4期310-315,329,共7页郑婷婷 
为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、...
关键词：精细沟槽栅结构 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) TCAD仿真 元胞结构 器件性价比 
IGBT器件级物理模型的FPGA设计与实现及在环验证
《半导体技术》2024年第4期330-340,共11页张驾祥 谭会生 
湖南省教育厅科学研究重点项目(20A163);湖南省学位与研究生教学改革研究项目(2022JGYB183)。
基于硬件在环(HIL)仿真,研究了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件级Hefner物理模型及其求解算法与优化方法,在现场可编程门阵列(FPGA)上设计并实现了Hefner优化模型,并基于PYNQ框架对其进行了在环验证。首先,分析并仿真了Hefner物理模型与...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) Hefner物理模型 神经网络拟合 现场可编程门阵列(FPGA) 在环验证 
基于注意力机制的CNN-BiLSTM的IGBT剩余使用寿命预测被引量：2
《半导体技术》2024年第4期373-379,共7页张金萍 薛治伦 陈航 孙培奇 高策 段宜征 
针对绝缘栅双极型晶体管(IGBT)可靠性问题,提出了一种融合卷积神经网络(CNN)、双向长短期记忆(BiLSTM)网络和注意力机制的剩余使用寿命(RUL)预测模型,可用于IGBT的寿命预测。模型中使用CNN提取特征参数,BiLSTM提取时序信息,注意力机制...
关键词：绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 失效预测 加速老化 长短期记忆(LSTM) 注意力机制 卷积神经网络(CNN) 
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