云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 化学气相淀积

化学气相淀积: 作品数：248被引量：449H指数：8; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：张荣韩平郑有炓谢自力王荣华更多>>; 相关机构：南京大学西安电子科技大学中国科学院复旦大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>

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MOCVD生长温度控制p型InGaN形貌和电学特性提高LED光功率被引量：1: 《功能材料》2011年第7期1227-1229,共3页韩军邢艳辉邓军朱延旭徐晨沈光地; 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA03Z402);北京市自然科学基金资助项目(4102003;4092007;4112006);北京市教育委员会科技发展计划资助项目(KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金资助项目(X0002013200901;X0002013200902); 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN∶Mg薄膜,通过改变外延生长温度优化p型InGaN∶Mg表面形貌和电学特性。在800℃,InGaN的空穴浓度为1.9×1019cm-3,电阻率较低,通过原子力显微镜观察到粗化的样品表面有...; 关键词：Mg掺杂InGaN 金属有机物化学气相淀积原子力显微镜 X射线双晶衍射

表面粗化高空穴浓度InGaN:Mg性能及其发光二极管应用被引量：4: 《光电子．激光》2011年第5期666-668,672,共4页邢艳辉韩军邓军李建军徐晨沈光地; 国家高技术研究发展"863"计划资助项目(2008AA03Z402);北京市自然科学基金资助项目(4102003;4112006;4092007);北京市教育委员会科技发展计划资助项目(KM200810005002);北京工业大学博士科研启动基金资助项目(X0002013200901;X0002013200902); 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN:Mg薄膜,对不同源流量In-GaN:Mg材料特性进行了研究。光学和电学特性观测表明,当外延生长温度在760℃,三甲基铟(TMIn)摩尔流量不变时,随CP2Mg和Ⅲ族源摩尔比([CP2Mg]/[...; 关键词：Mg掺杂InGaN 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 原子力显微镜(AFM) 发光二极管(LED)

p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究被引量：22: 《物理学报》2006年第3期1424-1429,共6页刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉韩军沈光地; 北京市自然科学基金(批准号:D0404003040221);北京工业大学博士科研启动基金(批准号:52002014200403)资助的课题.~~; 采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与...; 关键词：Ⅲ-Ⅴ族半导体氮化镓发光二极管金属有机物化学气相淀积

PECVD　SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用被引量：5: 《光学学报》1995年第7期913-916,共4页祖继锋耿完桢洪晶余宽豪江志庚李志彭陈学良; 国家科委863高科技项目;辽宁省科委博士基金; 研究了等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氢氧化硅（ＳｉＯＮ）薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）光互连中的潜在应用。; 关键词：光互连化学气相淀积氮氧化硅薄膜

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