混晶

作品数：419被引量：945H指数：12
导出分析报告
相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
相关作者：郑健生朴玲钰张丽陈晓光谢平更多>>
相关机构：中国科学院厦门大学北京科技大学山东大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金河北省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱
《Journal of Semiconductors》2003年第7期714-717,共4页高玉琳 吕毅军 郑健生 张勇 Mascarenhas A 辛火平 杜武青 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 2 );福建省自然科学基金 (批准号 :A0 110 0 0 7)资助项目~~
在室温下测试了 Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～ 3.1% )混晶的喇曼散射谱 .在一级喇曼散射谱中观测到了 Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒 TO(Γ )模以及 N的局域模 (495 cm- 3) .在 N组分较高的一组样品 (x=1.3%～ 3.1% )中 ,还观察到了位...
关键词：GaPl-xNx 喇曼散射 混晶 
GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱
《Journal of Semiconductors》2003年第5期476-480,共5页高玉琳 吕毅军 郑健生 张勇 A. Mascarenhas 辛火平 杜武青 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 76 0 0 2 );福建省自然科学基金 (批准号 :A0 110 0 0 7)资助项目~~
通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %～ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在...
关键词：GaP1-xNx混晶 光致发光谱 声子伴线 等电子陷阱 带隙弯曲 
ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱
《Journal of Semiconductors》2003年第4期370-376,共7页方再利 苏付海 马宝珊 刘南竹 朱作明 丁琨 韩和相 李国华 葛惟锟 苏萌强 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 1760 0 8)~~
研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比...
关键词：电子陷阱 压力 光致发光 锌硫碲混合物 
梯度Si_(1-c)Ge_c混晶太阳电池长波光谱响应及其短路电流的理论计算与分析
《Journal of Semiconductors》2000年第11期1122-1128,共7页李成虎 赵玉文 黎雪梅 王福永 王玉亭 阎晓彬 陆炜 
提出了一种新型 Si/Si1- c Gec太阳电池结构 .对长波波段的响应区域—Si基区 Si1- c Gec梯度区光生少子分布进行了求解 .根据电流连续性原理计算了光谱响应 SR,讨论了电池结构和梯度区最大锗浓度 c对光生电流 JI的影响 .结果表明 :在一...
关键词：梯度 太阳电池 锗化硅 混晶 光谱响应 短路电流 
混晶GaAs_(1-x)P_x∶N(x=0.4)中的N_X和N_Γ发光带的研究
《Journal of Semiconductors》1999年第5期429-432,共4页俞容文 郑健生 颜炳章 
国家自然科学基金;福建省自然科学基金
本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中的ＮＸ和ＮΓ发光带进行了研究．在选择激发条件下，实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮΓ→ＮＸ的带间能量转移...
关键词：混晶 发光带 半导体 光致发光光谱 激发发光谱 
闪锌矿结构Zn_（1－x）Mn_xSe混晶光学声子行为被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第1期8-12,共5页过毅乐 劳浦东 
国家自然科学基金
本文计算了闪锌矿结构Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ光学声子频率随组分ｘ值的改变．计算表明，Ｚｎ（１－ｘ）ＭｎｘＳｅ混晶的光学声子属混模行为．在计算中，表征晶格常数改变对力常数影响的物理量，不同混晶应取不同的值．
关键词：闪锌矿结构 Zn1-xMnxSe混晶 光学声子 
低激发功率密度下GaAs_（1－x）Px：N（x＝0．88）的NNi对发光
《Journal of Semiconductors》1994年第7期444-449,共6页俞容文 郑健生 糜东林 颜炳章 
国家自然科学基金
在低激发动率密度条件下研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．８８）中的ＮＮｉ对束缚激子发光．发现随温度升高，在光致发光谱中依次出现ＮＮ３和ＮＮ１发光带，同时Ｎｘ带明显热猝灭．在低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱...
关键词：混晶 发光 GaAsi-xPx:N 
AlGaAs混晶中Te施主能级
《Journal of Semiconductors》1992年第6期327-332,共6页康俊勇 黄启圣 林虹 陈朝 唐文国 李自元 
国家自然科学基金;红外物理国家实验室资助
用低温光致发光光谱,暗条件及光照条件下的深能级瞬态谱方法,对组分范围为x=0.23-0.77的掺Te的AlGaAs混晶的杂质能级进行了研究.结果表明,Te杂质形成包括多个施主能级的复杂能级结构.本文对实验结果作了讨论.
关键词：AlCaAs混晶 杂质 施主能级 TE 
GaAsP混晶中Te施主深能级的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1991年第1期1-5,共5页张文清 黄启圣 康俊勇 
国家自然科学基金
用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了组分范围为x=0.11-0.95的掺Te的GaAs_(1-x)P_(?)混晶中的深能级.结果表明:样品中出现的深能级可分为A,B,C三类,其发射率激活能各约为:E_(?)~A=0.18ev,E_(?)~B=0.28eV,E_(?)~C=0.38eV.其中只有A能级在x=0....
关键词：混晶 半导体 深能级 DX中心 能带 
静压下GaAs_(1-x)P_x混晶的喇曼散射
《Journal of Semiconductors》1990年第9期709-712,共4页李国华 韩和相 汪兆平 糜东林 郑健生 
国家自然科学基金
在77K下和0—60kbar静压范围内测量了GaAs_(1-x)P_x(0.76 ≤x≤1)混晶的喇曼散射谱。得到了这些混晶的类GaP的LO模的压力系数。发现在所研究的x范围内GaAs_(1-x)P_x混晶的类GaP的LO模的压力行为与Gap的LO模基本相同。利用测得的压力系...
关键词：GAASP 混晶 压力 喇曼散射 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部