机械抛光

作品数：1251被引量：2245H指数：20
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预制应力提高大尺寸金刚石抛光成功率
《表面技术》2025年第6期143-151,共9页安康 张永康 刘鹏 张亚琛 杨志亮 许光宇 李利军 冯旭瑞 吴海平 李鸿 张旭芳 刘峰斌 李成明 
国家自然科学基金(52102034,U23A2025);北京市教育委员会科学研究计划项目资助(KM202410009010);北方工业大学有组织科研(2023YZZKY12);北方工业大学研究生教育教学改革研究项目(YJS2024JG16)。
目的 验证预制应力方法在抛光大尺寸金刚石膜中的有效性,通过预制应力方法提高大尺寸金刚石膜的抛光成功率。方法 首先,利用拉曼光谱(Raman Shift)、X射线衍射(XRD)对金刚石膜样品进行测试,利用拉曼测试数据在有限元分析中引入金刚石膜...
关键词：CVD金刚石膜 有限元分析 预制应力 大尺寸金刚石膜 金刚石抛光 机械抛光 
pH条件对铝合金化学机械抛光过程中纳米摩擦化学行为的影响
《表面技术》2025年第2期173-181,221,共10页朱玉广 王子睿 马服辉 梅璐 王正义 王永光 
国家自然科学基金面上项目(52375458)。
目的探讨pH条件对铝合金化学机械抛光微观过程中纳米摩擦化学行为的影响,表征抛光液在铝合金表面所形成的表面薄膜厚度及力学性能,并分析铝合金化学机械抛光过程中单磨粒接触状态与摩擦学特性。方法使用0.6%(体积分数)过氧化氢(H_(2)O_(...
关键词：铝合金 化学机械抛光 纳米摩擦学 PH值 吸引力 黏附力 
钽晶圆CMP抛光液成分与加工工艺参数的研究与优化
《表面技术》2024年第24期133-143,共11页白西郁 李薇薇 钟荣峰 肖银波 王晓剑 许宁徽 
国家自然科学基金(62275073)。
目的通过电化学实验确定化学机械抛光液成分,并以此进行化学机械抛光实验,通过响应面法确定最佳工艺参数方案。方法通过电化学实验结果确定甘氨酸和过硫酸钠、过氧化氢2种氧化剂的最佳组合与配比,以此配制抛光液进行不同机械参数的CMP实...
关键词：钽晶圆 化学机械抛光 电化学 响应面法 材料去除速率 表面粗糙度 
3D打印镍基合金GH3536化学机械抛光机理研究
《表面技术》2024年第20期143-157,共15页杭伟 王应刚 韦岚清 韩云晓 马毅 陈泓谕 
国家重点研发计划(2023YFE0202900);国家自然科学基金(52375468,52275467,52305515);浙江省省自然科学基金(LZY23E050004,LY21E050011);湖州市重点研发“揭榜挂帅”项目(2017M621966)。
目的实现无瑕疵的3D打印镍基合金GH3536超光滑镜面,揭示镍基合金GH3536在不同成分溶液下的化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)去除机理。方法采用单因素实验法通过CMP对镍基合金GH3536展开研究。采用电化学测试技术和X射...
关键词：增材制造 镍基合金GH3536 化学机械抛光 表面粗糙度 加工机理 
工艺参数对浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光蓝宝石晶片的影响
《表面技术》2024年第18期144-155,共12页黄展亮 柏显亭 潘继生 阎秋生 
国家重点研发计划(2023YFE0204400);国家自然科学基金(52075102);广东省基础与应用基础研究基金(2023A1515010922)。
目的为了实现蓝宝石晶片的高效超光滑表面加工,提出浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光方法,研究该方法对蓝宝石晶片的加工适应性。方法搭建了浸没式直流介电泳辅助化学机械抛光系统,通过单因素实验探究接入电压、工件及抛光盘转速、偏...
关键词：介电泳效应 化学机械抛光 蓝宝石晶片 工艺参数 抛光垫 有效磨料数 加工效果 
紫外光催化辅助Ga面GaN化学机械抛光试验研究
《表面技术》2024年第6期157-167,共11页杨友明 周海 胡士响 夏丽琴 任相璞 
国家自然科学基金面上项目(51675457);盐城工学院研究生实践创新计划(SJCX22_XZ013)。
目的探究在紫外光催化辅助抛光过程中,相关因素对氮化镓晶片Ga面去除率(MRR)及表面粗糙度(Ra)的影响规律,提高单晶氮化镓高效率低损伤的超光滑表面质量。方法通过结合紫外光与化学机械进行抛光,采用单因素试验方案,对GaN晶片的Ga面进行...
关键词：氮化镓 紫外光催化 抛光 MRR 表面粗糙度 单因素试验 正交试验 
新型钢抛光液中磨料的种类及其性能研究进展被引量：1
《表面技术》2024年第3期88-100,122,共14页陈倚 张偲淼 屈蔚然 郑书佳 孙一嘉 弓爱君 
北京科技大学教育教学重大教改项目(JG2021ZD01);北京科技大学校级规划教材项目(JC2021YB040);大学生创新创业项目。
磨料在抛光液中主要起机械作用,磨料的理化性质,如硬度、粒径、浓度等,是影响化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)性能的重要因素,对抛光效率有较大影响。针对我国抛光液对外依赖、需求量大,但精度等指标达不到市场要求等...
关键词：化学机械抛光 抛光液 钢 磨料 抛光机理 
基于多源数据融合的半导体晶片CMP抛光材料去除率预测被引量：2
《表面技术》2024年第2期150-157,167,共9页方维 王宇宇 宋志龙 吕冰海 赵文宏 
国家自然科学基金(U20A20293);浙江省自然科学基金(LD22E050010)。
目的 对半导体晶片抛光过程中的工艺参数、耗材使用量、抛光垫状态参数等多源数据预处理后进行数据融合,建立材料去除率(MRR)预测模型,为实现半导体晶片抛光加工工艺的决策和处理奠定基础。方法 研究晶片抛光加工中的数据特点及数据融...
关键词：化学机械抛光 材料去除率 数据融合 深度自动编码器 BP神经网络预测 
蓝宝石衬底CMP中氧化硅磨粒粒度分布对抛光液体系性能影响研究被引量：2
《表面技术》2024年第2期168-174,200,共8页王晓剑 李薇薇 钟荣锋 肖银波 许宁徽 孙运乾 
光电信息控制和安全技术重点实验室基金(614210701041705)。
目的 化学机械抛光(CMP)包含化学腐蚀和机械磨削两方面,抛光液p H、磨粒粒径和浓度等因素均会不同程度地影响其化学腐蚀和机械磨削能力,从而影响抛光效果。方法 采用30~150 nm连续粒径磨粒抛光液、120 nm均一粒径磨粒抛光液、50 nm和120...
关键词：化学机械抛光 蓝宝石 抛光液 磨粒 微观形貌 材料去除率 
长余辉发光粒子与光催化剂在SiC晶圆化学机械抛光中的协同作用被引量：1
《表面技术》2022年第9期251-259,共9页王万堂 张保国 周佳凯 李浩然 李烨 
国家中长期科技发展规划0_(2)科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);河北省高层次人才资助项目百人计划(E2013100006)。
目的获得一种可改善单晶SiC晶圆化学机械抛光(CMP)效率的复合增效技术,实现单晶SiC晶圆高效率和低成本的加工要求,并对其增效机理进行深入研究。方法通过抛光实验和原子力显微镜测试,探究长余辉发光粒子(LPPs)与不同光催化剂的协同作用...
关键词：碳化硅 化学机械抛光 光催化 长余辉发光粒子 材料去除速率 表面粗糙度 
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