云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 固相外延生长

固相外延生长: 作品数：9被引量：6H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：胡冬枝施斌赵登涛李炳宗张翔九更多>>; 相关机构：复旦大学华南理工大学兰州大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《电子科技文摘》《半导体技术》《核技术》《电子材料快报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金上海市教育发展基金国家教育部博士点基金上海市教委科研基金更多>>

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期刊=Journal of Semiconductors

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Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2003年第1期63-67,共5页屈新萍徐蓓蕾茹国平李炳宗 W.Y.Cheung S.P.Wong Paul K.Chu; 国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 ) ;上海市教委资助;上海教育发展基金会曙光计划;中国教育部博士点基金;国家科委-比利时弗兰德合作资助项目~~; 采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经...; 关键词：固相反应固相外延金属硅化物二硅化钴中间层诱导

Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2002年第6期604-608,共5页胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏; 研究了 Si(0 0 1)面偏 [110 ]方向 6°斜切衬底上 Ge量子点的固相外延生长 .实验结果表明 ,在 Si(0 0 1) 6°斜切衬底上固相外延生长 Ge量子点的最佳退火温度为 6 4 0℃ ,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在 Si(0 0 1)衬底成岛生长...; 关键词：外延生长量子点固相外延锗硅斜切衬底

固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n^+p浅结技术研究被引量：1: 《Journal of Semiconductors》1996年第4期305-312,共8页房华李炳宗吴卫军邵凯姜国宝顾志光黄维宁刘平周祖尧朱剑豪; 国家自然科学基金; 通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入...; 关键词：CoSi薄膜固相外延生长 n+p结半导体材料

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