光电器件

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《半导体光电》2022年第3期I0001-I0002,共2页
一代材料催生一代器件,引领一代产业。以硅、锗和砷化镓等半导体材料为代表的光电器件在过去几十年里对社会发展产生了深远影响,广泛地应用于集成电路、光电子与微电子等领域,形成了规模庞大的半导体产业集群。然而,这些光电器件的部分...
关键词：产业集群 光电器件 宽禁带半导体材料 关键性能 集成电路 砷化镓 光电子 禁带宽度 
多次烧结和清洗对压焊工艺的影响被引量：1
《半导体光电》2015年第5期746-749,752,共5页赵瑞莲 欧熠 殷悦 
设计了一种应用于光电器件的多梯度烧结、多次清洗的微组装工艺。采用共晶焊将各芯片、元器件烧结到基板上,再将基板烧结到相应管腔内。同时,通过压焊工艺进行芯片与厚膜电路导带的互联。设计了相关工艺步骤,论证了多次烧结、清洗对压...
关键词：光电器件 微组装 共晶焊 助焊剂清洗 压焊 
碳纳米管光电器件光学特性的电磁模型研究被引量：3
《半导体光电》2013年第2期197-199,203,共4页向毅 江永清 张小云 柏俊杰 
重庆市科委自然基金项目(2011jjA1162);国家自然科学基金项目(51151105398);重庆科技学院校内科研基金项目(CK2011Z08;CK2011Z09)
针对基于碳纳米管阵列构成的光电器件,建立基于场效应器件结构的电磁散射模型,对其光电吸收特性进行了仿真分析。模型仿真结果表明,当碳纳米管阵列间距为入射光波长的整数倍时,碳纳米管的吸收功率达到峰值,当在两个波长之间,吸收功率按...
关键词：碳纳米管 场效应 光电器件 吸收功率 仿真分析 
《半导体光电》稿约
《半导体光电》2013年第1期162-162,共1页
《半导体光电》是由中国电子科技集团公司第四十四研究所（重庆光电技术研究所）主办的科技期刊,是我国光电子专业领域有代表性的刊物。本刊旨在传播、推广、交流光电子科学与技术,促进光电子技术及其相关学科的理论和技术的繁荣与发展...
关键词：半导体光电 中国电子科技集团公司 光电子技术 光电器件 中文核心期刊 INSPEC 光电技术 科学与技术 
光电器件仿真分析中的COCG高效迭代算法
《半导体光电》2012年第4期490-493,共4页李月卉 詹红霞 
四川省教育厅科研基金项目(09ZC016,10226020)
对光电器件采用FEM/EFIE仿真分析所产生的线性系统的迭代求解算法进行了研究。与目前普遍使用的迭代法不同,针对FEM/EFIE系数矩阵的特点,提出了采用求解复对称且非正定的线性方程组的共轭正交共轭梯度(COCG)算法来进行高效迭代求解。数...
关键词：迭代法 有限元法 电场积分方程法 共轭正交共轭梯度 
光电隔离开关抗静电放电试验失效原因分析
《半导体光电》2012年第4期498-499,532,共3页王文双 唐锐 牛付林 
在抗静电放电(ESD)试验后通常会使用I-V特性扫描对器件是否失效进行判断。但对有些特殊电路而言,使用这种I-V特性扫描可能对电路造成电应力损伤,导致对电路是否满足ESD试验能力做出错误的判断。文章主要以光电隔离开关为例,分析了造成...
关键词：静电放电 光电器件 人体模型 I-V特性 
ZnO同质pn结发光二极管研究进展
《半导体光电》2011年第4期455-458,共4页薛书文 
氧化锌是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,制备性能优良的ZnO同质结是ZnO在光电器件领域获得应用的关键之一。文章综述了近几年ZnO同质结发光二极管研究进展,详细介绍了各种结构ZnO同质结发光二极管...
关键词：氧化锌 同质结 发光二极管 光电器件 
《半导体光电》稿约
《半导体光电》2009年第1期160-160,共1页
关键词：半导体光电 稿约 光电器件 光电元件 电子管 来稿 计量单位 稿件 电子邮箱 电子邮件 文稿 
一种用于CMOS图像传感器的新结构光电器件
《半导体光电》2007年第4期487-489,共3页李晓磊 曾云 张燕 王太宏 
湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)
提出了一种用于CMOS图像传感器的新结构光电探测器件——双极光栅场效应晶体管。通过在器件中引入pn结,有效地增加了光生电荷的读出速率,因而与传统光栅晶体管相比,双极光栅晶体管具有工作速度快、响应灵敏度高、读出电路简单等优点。
关键词：CMOS图像传感器 光电探测器 双极光栅场效应晶体管 响应灵敏度 
光电器件管壳的双脉冲电镀工艺被引量：1
《半导体光电》2002年第6期424-425,428,共3页江德凤 
分析了脉冲电流对金属沉积过程的影响。采用双脉冲电镀法 ,进行了在光电器件管壳上镀镍和镀金实验 ,并通过适当控制其正负脉冲电流密度、导通及关断时间等参数 ,获得了光亮、结晶致密、耐高温。
关键词：双脉冲电镀 传质 吸脱附 
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