光敏

作品数：1970被引量：2938H指数：18
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非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究被引量：3
《半导体光电》2019年第4期480-483,共4页陆清茹 李帆 黄晓东 
东南大学毫米波国家重点实验室开放课题项目(K201907),东南大学成贤学院“青年教师科研发展基金”资助项目(z0006)
基于射频磁控溅射法制备了以非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)作为有源层的底栅顶接触式薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,TFT),其长/宽比为300μm/100μm。研究了该器件在无激光和在三种不同波长激光照射下的光敏特性。实验表明,器件在...
关键词：射频磁控溅射 非晶铟镓锌氧化物 薄膜晶体管 光敏特性 
基于HV-CMOS工艺集成PIN光敏元的CMOS传感器设计被引量：2
《半导体光电》2019年第3期333-337,363,共6页杨成财 鞠国豪 陈永平 
PIN光电二极管相对于pn结型光电二极管具有结电容小、量子效率高等优点,但采用标准低压CMOS(LV-CMOS)工艺研制的CMOS传感器只能实现基于n阱/p衬底的pn结光敏元与片上电路的集成,高压CMOS(HV-CMOS)工艺的发展为CMOS电路与PIN光敏元列阵...
关键词：CMOS图像传感器 HV-CMOS PIN光电二极管 3T像素结构 量子效率 
黑硅微结构光敏二极管被引量：3
《半导体光电》2015年第6期892-894,共3页王文革 李华高 龙飞 李睿智 李平 张昌丽 李益 
与平面硅相比,黑硅对0.25～2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1 064nm波长,探测器红外响应达到0.518A/W,比常规探测器量子效率...
关键词：金属辅助刻蚀 黑硅 光敏二极管 量子效率 
太阳能光化学利用方式及应用评述被引量：2
《半导体光电》2015年第1期1-6,共6页王光伟 杨旭 葛颖 许书云 张巍 
天津市人社局职业培训项目(TJPXB02-07)
论述了太阳能光化学利用的主要方式,即光电化学利用、光分解利用、光合作用和光敏化学利用。阐明了这几种利用方式的基本原理、过程和实际应用。重点评述了具有潜在实用价值的光电化学及光分解利用,指出了其优缺点,并对发展趋势做了展望。
关键词：太阳能 太阳能光化学利用 光电化学利用 光分解反应 光合作用 光敏化学利用 
单模光敏光纤高温特性的实验研究
《半导体光电》2007年第2期221-223,共3页王巧云 宋士德 王晓旭 林钧岫 邹龙江 
以单模掺锗光敏光纤为研究对象,用光谱仪观测其从室温(20℃)到1 025℃升温、降温过程中中心波长及输出功率的变化情况,并用电子扫描显微镜观察其微观结构在升温前、后是否发生变化。实验结果表明,单模光敏光纤在升温、降温过程中中心波...
关键词：光敏光纤 高温 单模 
利用非光敏BCB树脂实现多芯片组件平坦化研究被引量：2
《半导体光电》2005年第5期412-414,共3页付小朝 易新建 赵小梅 何少伟 
多层布线和绝缘介质材料的引入使得多芯片组件的芯片表面形貌凸凹不平,采用旋涂介质膜实现芯片表面平坦是常用的平坦化方法。分别介绍了聚酰亚胺、旋涂玻璃膜和苯并环丁烯(BCB)的平坦化特性,论述了非光敏BCB树脂的平坦化工艺原理。在此...
关键词：多芯片组件 苯并环丁烯 平坦化 平坦度 
L型硅光敏三极管被引量：2
《半导体光电》2002年第4期257-258,270,共3页谢顺坤 王波 
介绍了L型硅光电三极管的设计、工作原理、实验及结果。制作出的高灵敏度、探测率大的L型硅光敏三极管 ,其每个光敏元的响应率最大值为 1.2× 10 5V/W ,探测率最大值为 4 .5× 10 5cm·Hz1/ 2 /W。
关键词：光敏三极管 L型 灵敏度 响应率 
只要是注入电流一定能抽取
《半导体光电》2000年第6期442-445,共4页何民才 黄启俊 
针对“商榷”者提出的不同见解进行了讨论 ,指出利用输出结抽取开路受光结的注入电流为光电信号正是注入光敏器件的创新所在。
关键词：光电信号 注入光敏器件 注入电流 
注入光敏器件工作原理的模拟与分析
《半导体光电》2000年第6期435-438,共4页杜树成 席丽霞 
通过数值求解双极半导体器件的基本方程 ,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动 ,得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。
关键词：光电探测器 注入光敏器件 模拟 半导体器件 
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
《半导体光电》2000年第6期439-441,445,共4页何民才 黄启俊 王海军 
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词：光探测器 注入光敏器件 MOS场效应结构 
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