光敏器件

作品数：86被引量：91H指数：5
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便携式日光紫外线指数检测仪设计被引量：8
《测控技术》2007年第2期9-11,共3页胡浩 陈炳若 张庆兵 莫倩瑜 钟茗 
中国科学院传感技术国家重点联合实验室基金资助项目(skt0401)
设计并制作了一种便携式、低成本的日光紫外线指数检测仪。选择了CdS光敏电阻作为光电探测器件，通过合理的光谱剪裁，保留了300—400nm波段的光，设计了简单的比较器电路，通过LED的明灭可直观显示紫外线的强度等级。实际测量的结果表...
关键词：紫外线指数 光敏器件 滤光片 比较器 
再论硅光伏探测器的响应度
《武汉大学学报（理学版）》2002年第1期77-80,共4页袁涛 陈炳若 郑若成 
武汉市科技攻关项目资助 ( 2 0 2 12 0 92 9)
实验中发现部分硅光伏探测器在以光生电压为输出信号时 ,开路电压 VOC存在异常现象 .在一定强度的光照下 VOC出现峰值 ,随后 VOC随入射光强的上升而下降 .本文对这种异常现象的规律进行了研究和分析 ,认为该现象的产生是由于在金属与半...
关键词：硅光伏探测器 开路电压 并联电阻 串联电阻 整流接触 响应度 光敏器件 
只要是注入电流一定能抽取
《半导体光电》2000年第6期442-445,共4页何民才 黄启俊 
针对“商榷”者提出的不同见解进行了讨论 ,指出利用输出结抽取开路受光结的注入电流为光电信号正是注入光敏器件的创新所在。
关键词：光电信号 注入光敏器件 注入电流 
注入光敏器件与MOS场效应结构比较
《半导体光电》2000年第6期439-441,445,共4页何民才 黄启俊 王海军 
通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种MOS场效应结构 。
关键词：光探测器 注入光敏器件 MOS场效应结构 
四论注入光敏器件的物理基础被引量：4
《半导体光电》1998年第4期263-270,共8页何民才 黄启俊 乐望民 
叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。文中还分析了文献［１～５、１０］中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。
关键词：光电器件 光敏器件 注入光敏器件 
内调制光电探测器与GCMPD灵敏度的比较
《半导体光电》1998年第4期271-273,共3页何民才 黄启俊 刘畅 
国家自然科学基金;国家八.五重点科技攻关项目
通过严格的对比实验发现，内调制光电探测器的灵敏度比ＧＣＭＰＤ的高很多。文中还指出了ＧＣＭＰＤ理论的基本错误和实验的欠妥之处。
关键词：光电探测器 光敏器件 灵敏度 
关于间接耦合光电探测器的存疑点剖析被引量：3
《传感技术学报》1998年第1期46-54,共9页何民才 黄启俊 
本文用新的实验再一次证明,注入光敏器件是肖克莱晶体管理论运用于光敏器件的体现.并指出了光敏器件的最重要工作之一是提高它的信噪比,而不是单纯地增加灵敏度,注入光敏器件正是为了这个目的而提出的.其间着重剖析了对间接耦合光电探...
关键词：光电探测器 光敏器件 注入光敏器件 间接耦合 
注入光敏器件是一种新型的光电探测器被引量：7
《固体电子学研究与进展》1995年第4期356-364,共9页何民才 黄启俊 龙理 陈畅生 
注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良...
关键词：光电探测器 注入光敏器件 光敏器件 
注入光敏三极管的基本特性和分析被引量：5
《Journal of Semiconductors》1994年第9期631-638,共8页何民才 黄启俊 陈炳若 龙理 陈畅生 戴锋 池桂梅 
本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．
关键词：光敏三极管 注入 光敏器件 特性 
光敏器件的γ辐照损伤
《核技术》1992年第12期728-730,共3页李世清 张能立 
研究了光敏二极管和三极管经反应堆γ辐照后(辐照剂量为10~4、10~5 和10~6Gy(Si))引起的损伤。结果表明,γ辐照使光敏器件的光电流 I_p、电流放大倍数β和光电响应时间t减小,暗电流I_d增加,结电容C基本不变。被辐照器件放置180d 后,又经...
关键词：光敏器件 放射损伤 Γ辐射 
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