硅晶

作品数:946被引量:531H指数:10
导出分析报告
相关领域:电子电信电气工程更多>>
相关作者:杨德仁顾忠华李理潘国顺龚桦更多>>
相关机构:胜高股份有限公司信越半导体株式会社中国科学院MEMC电子材料有限公司更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金山东省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
红外纳秒激光工艺参数对硅晶圆单次扫描烧蚀切割质量的影响
《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》2025年第2期55-60,共6页王锐 巫海文 何俊杉 陈国杰 
粤港澳智能微纳光电技术联合实验室项目(2020B1212030010);标准光组件智能检测实验室建设项目(2016B01011304);广东省半导体微显示企业重点实验室项目(2020B121202003)。
采用1064nm红外纳秒激光对<111>硅晶圆进行单次扫描烧蚀切割实验,研究了激光的脉冲重复频率和扫描速度对硅晶圆表面及断裂面形貌、烧蚀区宽度、热影响区宽度和切割深度的影响。研究结果表明,重复频率和扫描速度对单次扫描烧蚀切割质量...
关键词:纳秒激光 硅晶圆 单次扫描切割 热影响区宽度 
碳化硅晶圆化学机械抛光工艺优化
《电镀与涂饰》2025年第3期127-132,共6页李萍 张宝玉 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(20KJD510007);江苏省苏北科技专项(SZ-HA2019006)。
[目的]化学机械抛光(CMP)技术广泛应用于半导体制造的多个环节,是实现晶圆表面平坦化的关键步骤,而工艺参数显著影响着CMP效果。[方法]通过正交试验研究了压力、抛光盘转速、磨料粒径及抛光液pH对SiC晶圆抛光时材料去除速率和表面粗糙...
关键词:碳化硅晶圆 化学机械抛光 材料去除速率 表面粗糙度 
杂质对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究
《信息记录材料》2025年第3期36-38,共3页何发林 王凤皋 
本文提出一种运用传统分子动力学原理实现杂质对硅晶体生长影响的分子动力学模拟研究方案。方案以硅晶体、杂质原子及相互作用势为研究范畴,引入边界条件,构建系统初始模型,在设定系统运行的研究条件基础上,完成初始模型重新到达平衡的...
关键词:杂质 晶体缺陷  分子动力学 模拟 
230亿元!三安与意法半导体重庆8英寸SiC厂正式通线!
《变频器世界》2025年第2期50-50,共1页
2月27日,全球8英寸碳化硅产业迎来了又一个里程碑时刻一一重庆安意法8英寸碳化硅晶圆合资制造厂(以下简称安意法)正式通线投产,这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进,...
关键词:意法半导体 碳化硅 硅晶圆 里程碑 重庆 
基于激光垂直技术的碳化硅晶锭切割工艺研究
《机械工程与自动化》2025年第1期162-164,共3页吕麒鹏 
与传统硅基半导体器件不同,单晶衬底材料占SiC器件成本的50%,SiC材料的高硬度特性导致切割速度慢、晶体与切割线损耗大、加工良品率低,大幅增加了衬底的成本,并影响衬底的产能提升。利用激光技术在晶体内部实现高密度光吸收,发生化学键...
关键词:碳化硅 晶锭切片 激光改质 激光剥离 激光诱导 
基于硅晶负载银纳米基底的唾液中罂粟的检测
《化学研究与应用》2025年第2期302-309,共8页崔胜峰 孙国良 田雨欣 万敬伟 陈娟 周成合 
国家自然科学基金青年基金项目(201805208)资助;河南省科技攻关项目(212102310487)资助。
铁路站车大客流场景下吸毒人员唾液中罂粟毒品的快速检验成为近年来化学和法庭科学研究的重点和热点之一。本文通过一步氧化还原反应在硅晶圆表面负载上具有高密度纳米尖端和深纳米间隙的三维银纳米颗粒层,高效地制备得到表面增强拉曼散...
关键词:吗啡 罂粟 SERS 银纳米 
面向超薄硅晶圆精密磨削工艺的内部残余应力分析
《表面技术》2025年第2期161-172,共12页熊正权 窦筠雯 陈颖 高能 黄银 朱旻昊 冯雪 
国家自然科学基金(11972027,U20A6001);西南交通大学新型交叉学科培育基金项目(2682022JX001)。
目的硅基集成电路的超薄化(通常厚度≤50μm)是高性能集成器件实现柔性化的关键,同时也满足了器件先进封装的需求。背面精密磨削是低成本、大规模制造超薄硅基集成电路的重要技术路径。然而,随着厚度的降低,本征硬脆的硅基器件的机械强...
关键词:硅晶圆 超薄 精密磨削 内部残余应力 有限元仿真 显微拉曼实验 
基于分子动力学的硅晶圆均匀减薄磨削研究
《制造技术与机床》2025年第1期133-140,共8页黄绍服 吴义城 赵茂俞 
合肥市自然科学基金项目(2022025)。
超精密减薄磨削加工是半导体硅晶圆制造的关键工艺环节之一。然而,亚表面裂纹、残余应力和微结构的晶格畸变是减薄磨削产生的主要损伤缺陷。通过硅晶圆的减薄磨削,研究等效应变和残余应力的分布,评价磨削损伤。首先,分别建立球形和三棱...
关键词:硅晶圆 分子动力学仿真 磨削 应变 残余应力 
碳化硅晶圆超快激光偏振动态调控切割技术研究
《激光与光电子学进展》2024年第23期272-279,共8页王思博 洪子钦 张金玲 吴俊霄 叶云霞 任旭东 
应用创新项目(A0DB0354)。
晶圆激光切割是一个重要的工艺环节,光束偏振态对晶圆切割的效率和质量有着重要的影响。基于液晶空间光调制器(SLM),采用1/2波片和1/4波片的组合,通过动态加载不同的灰度图图案至SLM,实现对光束偏振态的动态调控。在此基础上,实现了光...
关键词:超快激光 碳化硅 液晶空间光调制器 偏振态 晶圆切割 
环形金刚石线在硅晶体切割中断线原因分析
《舰船电子工程》2024年第12期200-204,共5页姜红飞 高伟 武聪豪 
环形金刚石线主要用于硅晶体、玉石等硬脆材料的精密切割。用自制的环形金刚石线对硅晶体进行切割实验,通过扫描电子显微镜观察环形金刚石线的磨损形貌,根据断头形貌分析了其断线机理。研究表明:环形金刚石线的断线原因分为磨损断线和...
关键词:环形金刚石线 硅晶体切割 磨损机理 断线 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部