负阻器件

作品数：68被引量：61H指数：4
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异质结界面结构在石墨烯负阻器件中的作用
《固体电子学研究与进展》2020年第5期333-336,348,共5页汪威 黄启俊 何进 王豪 常胜 
国家自然科学基金资助项目(61874079,61574102,61774113)。
基于石墨烯纳米带异质结设计新型负微分电阻(Negative differential resiatance,NDR)器件的思路,利用不同宽度尺寸石墨烯纳米带的组合来搭建双势垒量子阱,构造了具有优良NDR性能的新型器件。通过一系列的数值计算仿真,揭示了不同异质结...
关键词：异质结界面结构 负阻器件 量子阱 布洛赫态 
NDRHBT及其构成的单-双稳转换逻辑单元被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第2期154-158,共5页郭维廉 关薇 牛萍娟 张世林 齐海涛 陈乃金 王伟 
国家重点基础研究基金(973)2002CB311905;天津市应用基础研究重点基金(043800811)资助项目
设计并研制了InGaP/GaAs/InGaP超薄基区(8nm)负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)。并用它构成一个单-双稳转换逻辑单元(Monostable-bistable transition logic element,简称MOBILE)。经过测试,证实其具有与GRTD、RTD/HEMT构成的MOBILE相类似...
关键词：异质结晶体管 负阻器件 单-双稳转换逻辑单元 
与HBT工艺兼容的新型负阻器件的研制与分析被引量：1
《固体电子学研究与进展》2005年第2期202-206,共5页齐海涛 郭维廉 张世林 梁惠来 毛陆虹 
国家重点基础研究计划项目(973)(批准号2002CB311905);天津大学青年教师基金资助
在HBT工艺基础上,通过对器件结构的特殊设计,研制出了一类新型三端负阻器件,其恒压控制型负阻的PVCR大于800,并伴有恒流控制型负阻。通过atlas器件模拟软件进行模拟后对其物理机制进行了解释。该器件既能保持HBT高频、高速的特点,又具...
关键词：负阻器件 异质结双极晶体管 电流峰谷比 器件模拟 
硅光电负阻器件的构成原理与分类被引量：2
《固体电子学研究与进展》2002年第1期120-126,共7页郭维廉 
国家自然科学基金 (编号 694770 11)资助课题
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 。
关键词：硅光电器件 负阻器件 光电逻辑器件 分类 构成原理 
功率双基区晶体管（DUBAT）及其压（流）控调频效应被引量：4
《固体电子学研究与进展》1994年第4期310-316,共7页郭维廉 郑云光 侯曾 郑爱林 
天津市科委资助
在重点考虑了提高击穿电压和增大电流容量的基础上，设计并研制出功率型ＤＵＢＡＴ。其主要参数达到：ＢＶ（ＣＥ０）≥１２０Ｖ，Ｉ（ＣＭ）≥２Ａ，ＲＮ≈５０～１１０Ω，Ｐ（ＣＭ）≥１０Ｗ。并在此器件上首次发现了电压（流）控制...
关键词：双基区晶体管 负阻器件 电压控制 电流控制 调频 
DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制被引量：5
《固体电子学研究与进展》1992年第4期306-313,共8页郭维廉 于彩虹 
国家自然科学基金资助项目
本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。
关键词：三端负阻器件 负阻器件 单结晶体管 
一种新型硅三端负阻器件被引量：1
《固体电子学研究与进展》1992年第3期204-210,共7页郭维廉 于彩虹 
国家自然科学基金项目
提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。
关键词：三端 负阻器件 复合或 集成器件 
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