高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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GaN基高电子迁移率晶体管研究进展
《科技资讯》2018年第24期14-15,17,共3页任舰 
江苏省高等学校自然科学研究面上项目(项目编号:17KJB510007)
由于氮化镓(GaN)材料具有禁带宽度大、击穿电场强、饱和电子漂移速度高等优异的物理特性,GaN基功率电子器件逐渐取代硅基电子器件在高温、高压与高频等领域的应用。目前,由GaN及其合金材料制备的高电子迁移率晶体管(HEMT)是电力电子、...
关键词：GAN 高电子迁移率晶体管 可靠性 
一种常温条件下的微波冷噪声源设计被引量：2
《西安电子科技大学学报》2017年第1期112-118,共7页董帅 王振占 贺秋瑞 张雷 
全球水循环观测卫星有效载荷关键技术与卫星方案设计论证研究资助项目(XDA04061202)
针对传统微波噪声源在提供低亮度温度噪声时需要制冷的局限性,介绍了一种工作于常温条件下的新型微波冷噪声源器件.以"冷场效应管"原理为基础,给出了双端口微波网络在输出端口端接负载情况下的输入端口处噪声温度模型.提出了一种有源微...
关键词：有源微波冷噪声源 辐射计 定标 遥感 高电子迁移率场效晶体管 
SiC基HEMTs器件的沟道温度热仿真
《佳木斯大学学报（自然科学版）》2013年第2期299-302,共4页侯宪春 吴云飞 董艳红 
佳木斯大学2012科学技术研究面上项目(L2012-046);佳木斯大学2011科学技术研究青年基金项目Lq2011-029
GaN作为第三代半导体材料,具有大的禁带宽度,高的饱和速度以及非常高的漏电流密度,导致了AlGaN/GaN HEMTs器件在高温,高功率应用方面脱颖而出.本文通过使用有限元法,实现了在稳态条件下对高电子迁移率晶体管(HEMTs)的温度分布,得到了沟...
关键词：高电子迁移率晶体管 有限元法 沟道温度 
GaAs基HEMT嵌入式微加速度传感器力电耦合系数研究
《传感器与微系统》2013年第2期63-65,69,共4页田学东 薛晨阳 王永存 刘俊 唐军 
中国博士后科学基金资助项目(2011M50054);国家自然科学基金面上项目(61171056);国家自然科学基金重点资助项目(50730009)
设计加工了一种GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)嵌入式微加速度传感器结构,通过软件仿真和实验测试相结合的方法,研究了所设计的微结构在平行于HEMT生长方向上(Z方向)不同加速度作用下敏感单元HEMT的力电耦合特性。实验结果表明:GaAs基H...
关键词：高电子迁移率晶体管 砷化镓 力电耦合系数 传感器 
高灵敏度AlGaN/GaN HEMT生物传感器设计及制作被引量：3
《微纳电子技术》2012年第7期425-432,共8页薛伟 李加东 谢杰 吴东岷 
国家自然科学基金资助项目(61104226);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2010CB934700)
目前AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)生物传感器表面修饰及分子识别元件固定需在金属或氧化物门电极上进行,针对金属或氧化物门电极的存在增加了器件的制作难度,提高了制作成本,同时还影响了传感器灵敏度的提高等问题,提出了进行"生...
关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) 生物传感器 生物分子膜门电极 灵敏度 山羊免疫球蛋白 
考虑自热效应的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管建模与仿真
《功能材料与器件学报》2010年第4期374-378,共5页姜霞 赵正平 张志国 骆新江 杨瑞霞 冯志红 
基于电荷控制模型,分析了极化,载流子迁移率,饱和电子漂移速度,导带断续,掺杂浓度,沟道温度等与自然效应的关系,并考虑了寄生电阻对自热效应的影响,建立了模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I-V特性的解析模型。通过与试验值的对比,...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 解析模型 自热效应 直流I-V特性 
用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMT热解析模型
《半导体技术》2010年第2期125-128,共4页姜霞 赵正平 张志国 骆新江 杨瑞霞 冯志红 
国家自然科学基金重大项目(NSFC60890192)
研究了温度的升高对低场迁移率及阈值电压的影响,建立了模拟AlGaN/GaN HEMT直流I-V特性的热解析模型。模型考虑了极化、材料热导率、电子迁移率、薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度及导带断续的影响。模拟结果表明,低场迁移率随温度的...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 自热 解析模型 阈值电压 迁移率 
高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计
《物理学报》2010年第2期1252-1257,共6页程知群 周肖鹏 胡莎 周伟坚 张胜 
国家自然科学基金(批准号:60776052);中国电子集团公司第五十五所国防科技重点实验室基金(批准号:9140C1402030803)资助的课题~~
对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了...
关键词：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 复合沟道 自洽求解 线性度 
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