雪崩光电二极管

作品数：404被引量：890H指数：15
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具有稀疏光子灵敏度的大动态范围光功率测量
《量子光学学报》2023年第3期23-28,共6页罗卫平 李召辉 申光跃 陈修亮 潘海峰 吴光 
国家自然科学基金(62175067,62075062)。
光功率的测量是光学研究领域最重要、最常用的计量技术之一,尤其在光通信、激光测绘等领域,同时具有优于皮瓦量级灵敏度和大动态范围的光功率测量是用于系统测试和标定的极为关键的技术,然而目前商售的光功率计测量灵敏度通常仅能达到...
关键词：光功率测量 稀疏光子 单光子探测 雪崩光电二极管 
基于APD单光子探测器的光子到达时间标记精度研究被引量：1
《光子学报》2023年第7期142-149,共8页李保权 李帆 曹阳 桑鹏 
国家重点研发计划项目(No.2017YFB0503300)。
为了准确测量X射线脉冲星导航中的光子到达时间,提出了一种X射线探测器光子到达时间精度的测试系统,该系统主要由脉冲X射线发生器、任意波形发生器、雪崩光电二极管探测器和时间标记光子计数器组成。系统测量脉冲X射线发生器的控制脉冲...
关键词：X射线 X射线调制源 光子到达时间精度 雪崩光电二极管 脉冲星导航 
共聚焦激光显微内窥成像中PMT与APD探测器性能对比分析
《光学学报》2023年第11期164-172,共9页侯冠廷 徐宝腾 周伟 刘家林 郭立泉 杨西斌 
国家重点研发计划(2021YFC2400100);苏州市基础研究计划(szs2020308,SJC2022009)。
共聚焦激光显微内窥镜(CLE)可以进行在体组织显微成像,实现实时病理学诊断,而光电探测器作为CLE系统的核心部件,影响共聚焦图像质量。对比分析光电倍增管(PMT)和雪崩光电二极管(APD)在CLE中的性能表现,建立基于PMT和APD探测电路的CLE成...
关键词：医用光学 共聚焦激光显微内窥镜 荧光成像 在体内窥 雪崩光电二极管 光电倍增管 
基于改进高速单光子探测器的复合跟踪控制系统设计被引量：1
《计算机测量与控制》2023年第3期155-161,共7页徐乐凤 孙彬 徐鲁波 黄劲 王和欣 
山东省2019年度中央引导地方科技发展专项资金项目(YDZX20193700002940);依托于创新创业平台的中试基地建设运营探索--以“泰山创新谷”中试基地为例(20-YB-167)。
由于半导体红外、光电倍增管单光子探测器受到噪声数据的影响,使得光子计数统计结果不精准,导致应用跟踪系统后,存在控制效果差的问题;利用雪崩光电二极管探测入射光和雪崩现象,改进高速单光子探测器;通过反馈控制环节实现猝灭,终止雪崩...
关键词：高速单光子探测器 复合跟踪 雪崩光电二极管 偏置电压 噪声数据 触发信号 反馈控制 
量子密钥分发系统防死时间攻击方案研究
《量子电子学报》2023年第1期95-103,共9页唐世彪 李志 郑伟军 张万生 高松 李亚麟 程节 蒋连军 
安徽省科技重大专项资助(17030901013,202103a13010004)。
为进一步提升量子密钥分发(QKD)技术的实用性和安全性,挖掘QKD系统中可能存在的安全漏洞并研究相应的防御策略是该领域的一个重要研究方向。死时间攻击是一种针对具有多通道探测器的QKD系统的攻击方式,攻击者利用单光子雪崩光电二极管...
关键词：量子通信 量子密钥分发 雪崩光电二极管 死时间攻击 时间数字转换器 现场可编程门阵列 
亚微米液体颗粒计数器的关键技术研究及应用
《中国仪器仪表》2023年第2期63-66,共4页梁凤飞 孙吉勇 陈建 沈玮栋 吴晨炜 
亚微米液体颗粒计数器是一种应用于半导体、电子等领域进行超纯水、超净液体的颗粒污染程度检测的主要仪器。基于光散射原理,采用半导体激光器作为光源,以雪崩光电二极管作为光电转换元件,以比较器实现颗粒物粒径的甄别,以计数芯片实现...
关键词：亚微米液体颗粒计数器 光散射 半导体激光器 雪崩光电二极管 
Gm-APD焦平面阵列的距离重构与三维成像实验被引量：2
《光子学报》2022年第12期88-99,共12页高冬阳 陈宗镁 陈寰 史庆杰 夏团结 陈龙江 
上海市自然科学基金(No.21ZR1480600)。
系统梳理了基于单元盖格雪崩光电二极管的多类距离重构方法的原理与特点,分析了适用于面阵盖格雪崩光电二极管的距离重构方法。采用激光细光束二维扫描发射覆盖探测视场和面阵盖格雪崩光电二极管焦平面阵列器件探测接收目标回波的方式,...
关键词：激光雷达 光子计数 三维成像 盖格雪崩光电二极管 焦平面阵列 
高效率蓝光硅光探测器外延结构及特性研究被引量：2
《中国光学》2022年第3期568-591,共24页陈伟帅 王浩冰 陶金 高丹 吕金光 秦余欣 郭广通 李香兰 王强 张军 梁静秋 王惟彪 
国家重点研发计划(No.2018YFB1801902,No.2018YFB1801901,No.2019YFB2006003);吉林省科技发展计划项目(No.20190302062GX);国家自然科学基金(青年基金)(No.12004139);广东省科技计划项目资助项目(No.2016B010111003)。
为了实现硅基雪崩光电二极管蓝光波段(400~500 nm)高光响应度,设计了SACM型基本器件结构,探究了倍增层厚度对器件的雪崩击穿电压及光电流增益的影响及倍增层掺杂浓度对光响应度的影响,综合考虑光响应度和击穿电压的因素,结果表明:当表...
关键词：雪崩光电二极管 硅 光谱响应度 
具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管被引量：3
《红外与毫米波学报》2021年第6期715-720,共6页顾宇强 谭明 吴渊渊 卢建娅 李雪飞 陆书龙 
Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2018YFB2003305);the Key R&D Program of Jiangsu Province(BE2018005);the Science and Technology Service Network Initiative of the Chinese Academy of Sciences(KFJ-STS-ZDTP-086);the Support From SINANO(Y8AAQ11003);Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK20180252)。
通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流。制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致。在获得0.85 ...
关键词：雪崩光电二极管 增益带宽积 暗电流 
高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管被引量：3
《红外与毫米波学报》2021年第2期172-177,共6页郑大农 苏向斌 徐应强 牛智川 
国家基础研究计划(2018YFA0209104);国家自然科学基金(61790582)。
用分子束外延系统(MBE)生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管(APD)。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门顺序为AlSb,AlAs,AlSb,Sb,In,InAs,In,Sb。其高分辨率X射线衍...
关键词：雪崩光电二级管 分子束外延 AlInAsSb 四元数字合金 
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