雪崩光电二极管

作品数：404被引量：890H指数：15
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MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性被引量：1
《红外与毫米波学报》2024年第1期63-69,共7页郭子路 王文娟 曲会丹 范柳燕 诸毅诚 王亚杰 郑长林 王兴军 陈平平 陆卫 
Supported by the National Natural Science Foundation of China(12027805,62171136,62174166,U2241219);the Science and Technology Commission of Shanghai Municipality(2019SHZDZX01,22JC1402902);the Strategic Priority Research Program of the Chinese Academy of Sciences(XDB43010200)。
InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用...
关键词：分子束外延 P/As切换 异质界面扩散 InGaAs/InP雪崩光电二极管 
空穴主导雪崩倍增的短波长SiC紫外单光子探测器
《中国激光》2023年第18期227-231,共5页苏琳琳 杨成东 
国家自然科学基金(62106111);无锡学院引进人才科研启动专项经费(2021r011,2021r012)。
制备并分析了SiC nip雪崩光电二极管(APDs)雪崩倍增的物理机制。与280 nm紫外光相比,在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现出更高的增益和更大的单光子探测效率。在240 nm紫外光入射时,SiC nip APD表现为空穴主导碰撞离化过程,随着入...
关键词：激光器 SIC 雪崩光电二极管 深紫外光探测 光子雪崩概率 
基于APD单光子探测器的光子到达时间标记精度研究被引量：1
《光子学报》2023年第7期142-149,共8页李保权 李帆 曹阳 桑鹏 
国家重点研发计划项目(No.2017YFB0503300)。
为了准确测量X射线脉冲星导航中的光子到达时间,提出了一种X射线探测器光子到达时间精度的测试系统,该系统主要由脉冲X射线发生器、任意波形发生器、雪崩光电二极管探测器和时间标记光子计数器组成。系统测量脉冲X射线发生器的控制脉冲...
关键词：X射线 X射线调制源 光子到达时间精度 雪崩光电二极管 脉冲星导航 
量子密钥分发系统防死时间攻击方案研究
《量子电子学报》2023年第1期95-103,共9页唐世彪 李志 郑伟军 张万生 高松 李亚麟 程节 蒋连军 
安徽省科技重大专项资助(17030901013,202103a13010004)。
为进一步提升量子密钥分发(QKD)技术的实用性和安全性,挖掘QKD系统中可能存在的安全漏洞并研究相应的防御策略是该领域的一个重要研究方向。死时间攻击是一种针对具有多通道探测器的QKD系统的攻击方式,攻击者利用单光子雪崩光电二极管...
关键词：量子通信 量子密钥分发 雪崩光电二极管 死时间攻击 时间数字转换器 现场可编程门阵列 
高耐压和低暗计数SiC紫外雪崩光电二极管被引量：5
《光学学报》2023年第3期1-6,共6页杨成东 夏开鹏 马文烨 高晏琦 郁智豪 苏琳琳 
国家自然科学基金(62106111);无锡学院引进人才科研启动项目(2021r011,2021r012)。
碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)是一种独具优势的微弱紫外光探测器,其过偏压承受能力是确保器件可靠工作的一个重要因素。本工作设计并制备了穿通型SiC吸收层电荷控制层雪崩倍增层分离(SACM)APD。基于这种结构,器件电场从雪崩倍增层向...
关键词：探测器 雪崩光电二极管 碳化硅 微弱紫外光探测器 暗计数 过偏压承受能力 
可见光盲SiC紫外雪崩光电二极管被引量：2
《中国激光》2022年第24期15-19,共5页杨成东 苏琳琳 夏开鹏 马文烨 
国家自然科学基金(62106111);无锡学院引进人才科研启动项目(2021r011,2021r012)。
SiC雪崩光电二极管(APD)是用于探测微弱紫外光的优选器件。通过研究器件在高压下的光响应行为,发现随着偏压的增加,器件响应峰值和截止波长始终稳定在280 nm和380 nm处,表明SiC APD在雪崩击穿状态下仍具有可见光盲特性。这说明SiC APD...
关键词：激光器 SIC 雪崩光电二极管 可见光盲 大面积 
Gm-APD焦平面阵列的距离重构与三维成像实验被引量：2
《光子学报》2022年第12期88-99,共12页高冬阳 陈宗镁 陈寰 史庆杰 夏团结 陈龙江 
上海市自然科学基金(No.21ZR1480600)。
系统梳理了基于单元盖格雪崩光电二极管的多类距离重构方法的原理与特点,分析了适用于面阵盖格雪崩光电二极管的距离重构方法。采用激光细光束二维扫描发射覆盖探测视场和面阵盖格雪崩光电二极管焦平面阵列器件探测接收目标回波的方式,...
关键词：激光雷达 光子计数 三维成像 盖格雪崩光电二极管 焦平面阵列 
具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管被引量：3
《红外与毫米波学报》2021年第6期715-720,共6页顾宇强 谭明 吴渊渊 卢建娅 李雪飞 陆书龙 
Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2018YFB2003305);the Key R&D Program of Jiangsu Province(BE2018005);the Science and Technology Service Network Initiative of the Chinese Academy of Sciences(KFJ-STS-ZDTP-086);the Support From SINANO(Y8AAQ11003);Natural Science Foundation of Jiangsu Province(BK20180252)。
通过优化倍增层的厚度,研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流。制成的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管性能优异,与计算趋势一致。在获得0.85 ...
关键词：雪崩光电二极管 增益带宽积 暗电流 
低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管的模拟分析被引量：3
《中国激光》2021年第17期10-16,共7页崔星宇 林逢源 张志宏 唐吉龙 方铉 房丹 王登魁 李科学 魏志鹏 
国家自然科学基金(61674021,11674038,61704011,61904017,11804335,12074045);吉林省科学技术发展项目(20200301052RQ);吉林省教育厅项目(JJKH20200763KJ)。
提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I^(2)E)设计了双电荷层双倍增层结构的InP雪崩光电二极管(APD),通过在倍增区中设置电离阈值能量的分级,控制碰撞电离的位置,从而降低噪声。...
关键词：材料 INGAAS/INP 碰撞电离工程(I^(2)E) 吸收区-电荷区-倍增区分离 电离阈值能量 过剩噪声 
百微米精度的单光子测距被引量：4
《物理学报》2021年第17期119-124,共6页吴琛怡 汪琳莉 施皓天 王煜蓉 潘海峰 李召辉 吴光 
国家自然科学基金(批准号:11804099,11774095);国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400900)资助的课题.
本文发展了一种基于高精度单光子探测器的激光测距方法,实现了百微米量级精度的非合作目标激光测距.单光子测距系统引入参考位置,有效地抑制了系统延时漂移,使光子飞行时间测量精度达到0.5 ps,在2 m测距距离处,单光子测距系统的测距精...
关键词：单光子探测 雪崩光电二极管 激光测距 质心法 
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