半导体集成电路

作品数：435被引量：306H指数：9
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邻近效应校正函数及参数确定被引量：2
《微细加工技术》2001年第4期21-25,5,共6页覃志国 刘志杰 
对高斯圆束矢量扫描作图邻近效应校正的函数进行了深入探讨 。
关键词：高斯圆束 矢量扫描 邻近效应 半导体集成电路 
我国集成电路产业的发展现状和展望被引量：1
《微细加工技术》1998年第1期1-6,共6页俞忠钰 
本文从ＩＣ制造技术、ＩＣ设计和产品开发以及ＩＣ微细加工专用设备三个方面，论述了“八五”我国ＩＣ科技进展和产业发展现状，分析了我国“九五”ＩＣ发展趋势，并提出了对今后发展的建议。
关键词：IC产业 微细加工 半导体集成电路 
新型微波等离子体源被引量：1
《微细加工技术》1993年第3期33-38,共6页郭华聪 
微波等离子体的一个重要发展是电子回旋共振(ECR)放电,本文介绍ECR放电技术的现状和报告一种新型ECR等离子体源—横磁瓶ECR等离子体源,并叙述其原理和结构。
关键词：电子回旋共振 微波等离子体源 半导体集成电路 
全方位离子注入技术
《微细加工技术》1993年第3期17-22,共6页郭华聪 
等离子体离子注入(PII)是一种用于材料表面改性的新型离子注入技术。PII分为两类,用于金属表面改性时称为等离子体源离子注入技术(PSII),用于半导体材料表面改性时称为等离子体浸没离子注入(PIII)。本文介绍一种新的PII技术,称为全方位...
关键词：离子注入 电子迦旋共振 半导体集成电路 
α—Si TFT矩阵等离子体刻蚀技术的研究被引量：3
《微细加工技术》1993年第2期41-46,共6页赵伯芳 张少强 章青 王长安 
本文介绍了α-Si TFT有源矩阵的CF_4等离子体刻蚀技术。分析了CF_4等离子体刻蚀α-Si:H和α-SiN_x的机理,对α-Si TFT的有源层与绝缘层之间刻蚀选择性和均匀性进行了研究,讨论了等离子体刻蚀速率与射频功率、反应室压力及衬底温度的依...
关键词：等离子体刻蚀 半导体集成电路 有源矩阵 
基准校正技术概述
《微细加工技术》1993年第2期17-22,共6页邓军 
本文从最基本的角度出发,介绍了亚微米分步重复投影光刻机中的一项新的检测技术——基准校正技术。简要地说明了该项技术的重复性、必要性和最新发展趋势。
关键词：光刻机 基准校正 DSW 半导体集成电路 
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