P型

作品数：1858被引量：2987H指数：18
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：叶志镇时龙兴孙伟锋赵炳辉陆生礼更多>>
相关机构：中国科学院浙江大学浙江爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技股份有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=无机材料学报x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
p型氧化镍薄膜晶体管的微流控法制备研究
《无机材料学报》2019年第1期79-84,共6页梁玉 梁凌燕 吴卫华 裴郁 姚志强 曹鸿涛 
国家自然科学基金(51772276);宁波市科技创新团队(2016B100005)~~
可以图形化和沉积同时进行的镀膜技术可有效简化器件制备流程,从而降低成本。本工作研究了一种新型的图形化沉积镀膜技术–微流控法:将宽度及间隔均为80μm、沟槽深度为2μm左右的PDMS模板与衬底贴合构筑微流通道,毛细力作用下前驱液可...
关键词：氧化物半导体 溶液法 浸润性 薄膜晶体管 热失重-差热曲线 
铜膜碘化法制备p型CuI薄膜及其用作空穴传输层的反型钙钛矿电池性能被引量：7
《无机材料学报》2016年第4期358-364,共7页刘畅 苑帅 张海良 曹丙强 吴莉莉 尹龙卫 
国家自然科学基金(51472110);山东省自然科学基金(JQ201214;2014ZRB01A47)~~
γ相碘化亚铜(γ-Cu I)是一种带隙为3.1 e V的p型半导体材料,适合应用于发光二极管和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的铜膜碘化法制备了Cu I薄膜,探究了碘化时间、温度及铜/碘比等生长条件对其透明导电性能的影响。在最优碘化...
关键词：碘化亚铜 铜膜碘化法 透明导电 反型钙钛矿太阳能电池 
高压PLD法生长p型钠掺杂氧化锌纳米线阵列被引量：3
《无机材料学报》2014年第2期155-161,共7页邱智文 杨晓朋 韩军 曾雪松 李新化 曹丙强 
国家自然科学基金(51002065;11174112);山东省泰山学者基金(TSHW20091007);山东省自然科学基金(BS2010CL003);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-1027;213021A)~~
采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO:Na)生长的影响,并制备了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单...
关键词：钠掺杂 氧化锌纳米线 高压脉冲激光沉积(HP—PLD) 
Ag_2Te掺杂对p型Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3块状合金热电性能的影响被引量：2
《无机材料学报》2010年第6期583-587,共5页沈俊杰 朱铁军 蔚翠 杨胜辉 赵新兵 
国家基础研究项目(2007CB607502);国家"863"研究计划(2007AA03Z234);国家自然科学基金(50731006);教育部博士点基金(20060335126)
采用真空熔炼、机械球磨及放电等离子烧结技术（SPS）制备得到了（Ag2Te）x（Bi0.5Sb1.5Te3）1-x（x=0,0.025,0.05,0.1）系列样品,性能测试表明,Ag2Te的掺入可以显著改变材料的热电性能变化趋势,掺杂样品在温度为450-550K范围内具有较...
关键词：铋锑碲合金 晶格热导率 热电材料 
快淬和球磨时间对p型(Bi_(0.25)Sb_(0.75))_2Te_3合金热电性能的影响被引量：3
《无机材料学报》2010年第6期588-592,共5页王磊 路清梅 张忻 张久兴 
国家自然科学基金(50801002;50271001);北京市教委科技发展重点基金(KZ200310005001)
通过快淬-机械球磨-放电等离子烧结工艺制备了p型（Bi0.25Sb0.75）2Te3块体热电材料.在300-523K温度范围内对其电导率、Seebeck系数和热导率进行了测试,并系统研究了快淬后球磨时间对合金热电性能的影响.研究结果表明,随着球磨时间的延...
关键词：热电材料 快淬 机械球磨 放电等离子烧结 
p型Cu/Q(Q=S,Se,Te)透明导体的设计、制备及性能研究
《无机材料学报》2009年第3期427-432,共6页吴历斌 黄富强 江莞 
国家自然基金项目(20471068;50625414);中国科学院上海硅酸盐所前瞻性项目
利用结构功能区思想的导电功能区和透光功能区,提出了层状p型Cu/Q透明导体的设计模型.LaCuOTe和Sr3Cu2Sc2O5S2因结构层[Cu2Te2]和[Cu2S2]对应导电功能区、[La2O2]和[Sr3Sc2O5]对应透光功能区,符合模型设计思想,是兼具高导电性和高透光...
关键词：p型Cu/Q 透明导体 导电率 层状结构 结构功能区 
非晶硅太阳电池窗口层材料掺硼非晶金刚石的研究被引量：4
《无机材料学报》2008年第5期1064-1066,共3页朱嘉琦 卢佳 田桂 檀满林 耿达 
国家自然科学基金(50602012);哈尔滨工业大学优秀青年教师培养计划资助项目(HITQNJS．2006．026);黑龙江省博士后资助项目(LBH-Z07099)
以固态掺杂方式利用过滤阴极真空电弧技术制备掺硼非晶金刚石薄膜,获得性能优良的宽带隙p型半导体材料,再利用等离子增强化学气相沉积技术制备p-i-n结构非晶硅太阳电池的本征层和n型层,最终制成以掺硼非晶金刚石薄膜为窗口层的非晶硅太...
关键词：非晶金刚石薄膜 非晶硅太阳电池 P型掺杂 转化效率 
Li-N-H共掺法制备p型ZnO薄膜被引量：6
《无机材料学报》2006年第6期1511-1514,共4页卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 陈兰兰 朱丽萍 赵炳辉 
国家自然科学基金重点项目(50532060);国家自然科学基金(50572095);浙江省自然科学基金(Y405126)
采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm^2/(V·s),空穴浓度为4．92×10^(17)/cm^3．此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的...
关键词：p-ZnO 磁控溅射 共掺 
喷雾热解法制备p型铟锡氧化物透明导电薄膜被引量：7
《无机材料学报》2006年第1期211-216,共6页季振国 赵丽娜 何作鹏 陈琛 周强 
国家重点基础研究专项(G2000 0683-06)国家高技术研究发展计划(863计划No.2003 AA-3-A19/1)浙江省分析测试基金03103
利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明,当In／Sn 比较小时,薄膜为金红石结构的二氧化锡,导电类型为n型;当In／Sn比在...
关键词：铟锡氧化物 透明导电薄膜 p型导电 喷雾热解 
NO和N_2O流量对ZnO薄膜p型导电性能的影响被引量：2
《无机材料学报》2005年第4期955-958,共4页周婷 叶志镇 赵炳辉 徐伟中 朱丽萍 
国家重点基础研究专项经费"973"(G20000683)国家自然科学重点项目(90201038)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,由NO和N2O混合气体在玻璃衬底上沉积了p型ZnO薄膜.NO和N2O流量分别为40和25 sccm时,得到最低电阻率5.52Ω·cm, 同时样品的空穴浓度最高,为2.17×1018cm-3,电性能的稳定性也最好.全部样品放置四个...
关键词：P型ZNO 导电性能 MOCVD 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部