RIE

作品数：232被引量：392H指数：9
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基于介电泳微流控芯片实现amol级分子量检测
《微纳电子技术》2023年第5期770-778,共9页周博华 林琳 赖丽燕 李以贵 
国家自然科学基金(62104151)。
设计并制作了一种快速检测宫颈癌细胞C4II的微流控芯片。制作的微芯片结构是采用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)工艺制备的硅模具为核心的复合结构,微芯片中包含一个10×10的微腔室阵列,单个微腔室底面半径40μm,高度500μm,...
关键词：微流控芯片 介电泳(DEP) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) 微腔室 核酸探针 滤波片 
金刚石纳米锥坑阵列结构的制备
《微纳电子技术》2023年第1期116-123,共8页谭心 潘超 贺占清 祁晖 杨桥 
国家自然科学基金资助项目(61765012);内蒙古自然科学基金资助项目(2019MS05008);国家重点研发计划资助项目(2017YFF0207200,2017YFF0207203);内蒙古自治区科技创新指导项目(2017CXYD-2,KCBJ2018031);内蒙古科技大学青年基金项目(202/0303022006)。
采用电感耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE)技术刻蚀金刚石薄膜,通过调整刻蚀功率、角度及时间等工艺参数,低成本且高效率地实现了排列整齐的圆形纳米锥坑阵列的可控化制备。对纳米锥坑的制备过程进行深入研究,发现可通过调节刻蚀角度与偏压功...
关键词：纳米锥坑 金刚石薄膜 电感耦合反应离子刻蚀(ICP-RIE) 刻蚀方向性 荧光增强 
用于制备微纳米玻璃结构的加工工艺被引量：2
《微纳电子技术》2022年第3期272-277,共6页权雪玲 刘民 付学成 黄胜利 凌天宇 瞿敏妮 程秀兰 
2018年度上海研发公共服务平台建设项目(18DZ2295400);上海交通大学决策咨询课题资助项目(JCZXSJA2018-003);上海交通大学实验室创新研究课题资助项目(16SJ-007)。
玻璃基材具备很多优点,是理想的微纳加工基材之一。随着在玻璃基材上加工的微纳结构越来越复杂,对玻璃微纳加工工艺的要求也越来越高。将现在普遍使用的半导体微纳加工工艺进行择优组合用于玻璃加工,并针对电感耦合等离子体反应离子刻蚀...
关键词：玻璃基材 微纳加工 干法刻蚀 电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE) 刻蚀选择比 
多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺被引量：2
《微纳电子技术》2020年第1期66-72,共7页孙伟业 邓军 何磊磊 杜欣钊 
北京市自然科学基金资助项目(4182011);19科技创新服务能力建设(市级)资助项目(040000546319536);北京工业大学第十七届研究生科技基金资助项目(ykj-2018-00429).
基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材...
关键词：二维光栅 微米球刻蚀 量子阱 反应离子刻蚀(RIE) 多量子阱红外探测器(QWIP) 
亚微米间距PECVD填隙工艺研究被引量：1
《微纳电子技术》2016年第1期60-63,共4页王学毅 王飞 冉明 刘嵘侃 杨永晖 
将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金...
关键词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) 二氧化硅(SiO2) 反应离子刻蚀(RIE) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞 
4H-SiC材料在SF_6/O_2/HBr中的ICP-RIE干法刻蚀被引量：4
《微纳电子技术》2015年第1期59-63,共5页王进泽 杨香 钮应喜 杨霏 何志 刘胜北 颜伟 刘敏 王晓东 杨富华 
国家电网科技项目(SGRI-WD-71-14-004)
传统SiC干法刻蚀中普遍出现明显的微沟槽效应,对后续工艺以及SiC器件性能有重要影响。针对这一问题,采用SF6/O2/HBr作为刻蚀气体,对4H-SiC材料的电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE)进行了工艺条件的研究探索,分别研究了SF6,O2和HB...
关键词：碳化硅(SiC) 电感耦合等离子体-反应离子刻蚀(ICP-RIE) SF6/O2/HBr 微沟槽效应 刻蚀速率 
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