SOIMOS器件

作品数：6被引量：4H指数：1
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薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究
《电子器件》2002年第1期18-21,共4页冯耀兰 樊路加 宋安飞 施雪捷 张正璠 
国家自然科学基金资助重点项目 (批准号:6973 60 2 0 );模拟集成电路国家级重点实验室资助项目(批准号 :2 0 0 0 JS 0 9.8.1JW0 60 4)
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 3...
关键词：绝缘体上硅 金属-氧化物-半导体 薄膜 积累型 高温特性 MOS器件 
高温薄膜SOIMOS器件硅膜厚度的设计考虑
《电子器件》1997年第4期21-24,共4页冯耀兰 
国家自然科学基金
根据薄膜ＳＯＩＭＯＳ器件的特点和高温应用的特殊考虑，采用计算机模拟技术，得出最大耗尽层宽度ｘｄｍａｘ和衬底掺杂浓度ＮＢ及温度Ｔ的关系曲线。研究结果表明，在常温下ｘｄｍａｘ随ＮＢ的增大而减小，当ＮＢ一定时，ｘｄｍａｘ随...
关键词：高温薄膜 SOI MOS 硅膜 薄膜电路 
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