SOI器件

作品数：55被引量：59H指数：4
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相关作者：黄如韩郑生张兴罗家俊安霞更多>>
相关机构：北京大学中国科学院微电子研究所西安电子科技大学中国科学院更多>>
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SOI器件的增强短沟道效应模型
《半导体技术》2009年第6期560-562,共3页卜建辉 刘梦新 胡爱斌 韩郑生 
为了探索SOI器件总剂量辐照后阈值电压漂移量和沟道长度的关系,利用器件模拟软件ISETCAD,对不同沟道长度的PDSOI NMOS管进行了总剂量辐照模拟。模拟结果表明,随着沟道长度的减小,背沟道MOS管阈值电压漂移越来越大,并且漂移量和辐照偏置...
关键词：绝缘体上硅 总剂量效应 沟道长度 辐照 阈值电压漂移 
反应离子刻蚀工艺用于抑制SOI器件边缘寄生效应的研究
《半导体技术》1992年第6期41-44,共4页张兴 石涌泉 黄敞 
本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成功地研制出了漏电流仅为3pA的NMOS晶体管。
关键词：SOI 器件 边缘寄生效应 刻蚀工艺 
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