SPICE模型

作品数：106被引量：155H指数：6
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一种全尺寸MOS晶体管的俘获隧穿电流优化模型
《中国集成电路》2024年第1期46-50,共5页张瑜 
针对当前的俘获隧穿电流模型中,对于不同器件尺寸只有统一的参数进行模型拟合,存在无法针对器件尺寸变化进行准确地模型拟合的问题。本文提出了在俘获隧穿电流模型的参数中,添加与器件全尺寸信息相关的方法,包括器件宽度方向,长度方向...
关键词：MOS晶体管 俘获隧穿电流 全尺寸 SPICE模型 
高频硅基光电晶体管SPICE模型的建立及关键参数的提取被引量：1
《电子学报》2021年第8期1645-1652,共8页张子同 姜岩峰 
国家自然科学基金(No.61774078,No.51802124);江苏省自然科学基金(No.BK 20180626)。
硅基光电晶体管在高频通信、自动控制、电力系统领域具有广泛的应用前景.从系统验证和仿真的角度,迫切需要建立光电晶体管的等效电路模型,该模型需要包含电学特性和光学特性.本文提出了一种高频(100MHz~1GHz)硅基光电晶体管的SPICE(Simu...
关键词：光电晶体管 参数提取 SPICE模型 高频 TCAD模型 
包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型被引量：4
《中国电机工程学报》2019年第19期5604-5612,共9页周郁明 蒋保国 刘航志 陈兆权 王兵 
国家自然科学基金项目(11575003)~~
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三...
关键词：通用模拟电路仿真器模型 碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管 界面电荷 迁移率 泄漏电流 失效 
基于压控单元的单电子晶体管宏模型
《微计算机信息》2008年第32期262-263,248,共3页戴大康 杨红官 喻彪 曾云 
湖南省青年骨干教师培养计划项目;颁发部门:湖南省教育厅([2005]247);基金资助项目名称:基于新结构光电器件的CMOS图像传感器及其读出电路研究;颁发部门:湖南省科技厅(05JJ30115)
采用等效电路的方法,将单电子晶体管(SET)等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路,并从SET的结构出发,利用正统理论和量子力学理论,得到了单电子晶体管的电压与电流的关系。该模型可以较好模拟SET稳态时的工作状态,...
关键词：单电子晶体管 等效电路 SPICE模型 宏模型 
异质结双极型晶体管SPICE模型及其参数提取
《电子器件》2008年第2期436-440,共5页章安良 
将异质结双极型晶体管(HBT)模型分为本征模型和外模型,并综合考虑了异质结双极型晶体管的寄生效应、空间电荷区的复合效应、隧道效应、热效应和重搀杂效应等因数,应用VC++语言编制提取HBT模型参数软件包,根据HBT的物理参数模拟了HBT的I-...
关键词：异质结双极型晶体管 参数提取 等效电路 
基于主方程单电子晶体管模拟新方法被引量：1
《固体电子学研究与进展》2007年第1期18-23,共6页何怡刚 彭浴辉 李必安 李亨 刘慧 方葛丰 
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0767);高校博士点基金(20060532002);湖南省科技计划项目(03GKY3115;04FJ2003;05GK2005;06JJ2024);国家自然科学基金(50677014)
在对单电子晶体管主方程模型及主方程的解法详细的分析的基础上,把单电子晶体管主方程模型和SP ICE的ABM功能结合,提出了基于主方程的单电子晶体管SP ICE模型。该模型由一个非线性电压控制电流源、非线性电压控制电压源、电容构成。并...
关键词：单电子晶体管 主方程模型 SPICE模型 伏安特性 
单电子晶体管及其在细胞神经网络中的应用
《微纳电子技术》2007年第2期62-65,共4页赵晓玲 何怡刚 彭浴辉 
国家自然科学基金项目(50677014);高校博士点基金(20060532016);湖南省自然科学基金(06JJ2024);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0767)
研究了单电子晶体管的特性及主方程法,建立了基于主方程法的单电子晶体管SPICE模型,实现了对细胞神经网络单元的仿真。仿真结果表明,采用主方程法建立的单电子晶体管模型具有合理的精确度,对细胞神经网络单元的实现具有速度快、低功耗...
关键词：单电子晶体管 主方程法 细胞神经网络 SPICE模型 
CMOS离子敏场效应管SPICE模型被引量：1
《传感器技术》2005年第10期16-18,22,共4页刘肃 韩富强 于峰崎 
完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程...
关键词：离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序 
一种单电子晶体管的Spice模型被引量：10
《空军工程大学学报（自然科学版）》2003年第6期65-67,共3页孙铁署 蔡理 陈学军 
陕西省自然科学基金资助(2002F34);空军工程大学学术基金资助(2002X12)
基于单电子晶体管数学分析模型,提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较,该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型,分析了单电子反相器和改进了二叉...
关键词：单电子晶体管 SPICE模型 单电子反相器 二叉判别图 
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