SRAM

作品数：1042被引量：981H指数：11
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相关机构：安徽大学国防科学技术大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所更多>>
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一种同步流水线SRAM读写控制模型
《微电子学》2024年第2期228-234,共7页李铁虎 黄丹 罗华军 祁宗 
国家自然科学基金资助项目(62004020);重庆市教委科学技术研究项目(KJQN202101137)。
设计了一种同步流水线静态随机存储器读写控制系统的行为级模型。分析了存储器芯片的控制信号和工作时序要求,利用Verilog硬件描述语言对存储器芯片的读写系统进行了行为级建模。系统包括主机、总控制器和存储器三部分,其中总控制器又...
关键词：SRAM 读写控制系统 VERILOG硬件描述语言 行为级模型 
一种面向可容错应用的低功耗SRAM架构
《微电子学》2023年第1期70-74,共5页黄茂航 王梓霖 贺雅娟 
国家自然科学基金资助项目(61874023,62090041)
提出了一种面向可容错应用的低功耗SRAM架构。通过对输入数据进行预编码,提出的SRAM架构实现了以较小的精度损失降低SRAM电路功耗。设计了一种单端的8管SRAM单元。该8管单元采用读缓冲结构,提升了读稳定性。采用打破反馈环技术,提升了...
关键词：SRAM 近似 编码 超低压 
源端射频干扰下SRAM的抗扰性分析被引量：1
《微电子学》2022年第1期139-143,共5页徐小清 张志文 粟涛 
广东省自然科学基金面上项目(2021A1515011922)。
目前已有一些在ESD和电磁干扰下存储器行为的表征研究,但对静态随机存取存储器(SRAM)的连续波抗扰度的频率响应特性的研究很少。文章研究了SRAM在射频电磁干扰下的失效行为与机理。对SRAM芯片进行射频干扰测试发现,SRAM失效行为与其工...
关键词：静态随机存取存储器 电磁干扰 失效机理 
一种新型低功耗加固SRAM存储单元被引量：2
《微电子学》2021年第2期157-162,共6页黄正峰 李雪筠 杨潇 戚昊琛 鲁迎春 王健安 倪天明 徐奇 
国家自然科学基金项目(61874156,61904001,61904047);模拟集成电路国家重点实验室基金项目(6142802200506)。
提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元。采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗,利用单粒子翻转特性来减少敏感节点,获得了良好的可靠性和低功耗。Hspice仿真结果表明,该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转比例为33.33%。...
关键词：抗辐射加固设计 存储单元 单粒子翻转 软错误 低功耗 
一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元
《微电子学》2020年第6期839-843,共5页吴晓清 吕嘉洵 黄茂航 贺雅娟 
国家自然科学基金资助项目(61874023);中央高校基本科研业务费基金资助项目(ZYGX2018J030);预研基金资助项目(31513030209)。
提出了一种基于位交错结构的亚阈值10管SRAM单元,实现了电路在超低电压下能稳定地工作,并降低了电路功耗。采用内在读辅助技术消除了读干扰问题,有效提高了低压下的读稳定性。采用削弱单元反馈环路的写辅助技术,极大提高了写能力。该10...
关键词：超低压SRAM 低功耗 稳定性 软错误 
一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元
《微电子学》2019年第4期518-523,528,共7页黄正峰 卢康 郭阳 徐奇 戚昊琛 倪天明 鲁迎春 
国家自然科学基金资助项目(61574052);安徽省自然科学基金资助项目(1608085MF149);安徽工程大学科研启动基金资助项目(2018YQQ007)
提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上...
关键词：低功耗 单粒子翻转 SRAM 抗辐照加固设计 稳定性 
新型4T SRAM的读辅助电路设计
《微电子学》2019年第2期210-214,共5页张露漩 乔树山 郝旭丹 
SoC芯片的很大一部分面积被存储器占据,而静态随机存储器SRAM为主要部分,因此高密度的SRAM研究引起更多重视。随着半导体工艺的不断发展,SRAM存储器的读写性能愈发重要。研究和分析了两种高密度、低功耗、高速的SRAM读辅助电路,即降低...
关键词：SRAM存储单元 读稳定性 辅助电路 
基于入射距离的一维瞬态电流源注入模型研究
《微电子学》2018年第6期806-810,814,共6页文琦琪 周婉婷 李磊 
国家自然科学基金联合基金资助项目(U1630133);中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2016J185)
在深亚微米工艺下,单粒子效应引入的瞬态电流与粒子入射位置有关。基于粒子入射距离,提出了一种针对电路级仿真的一维瞬态电流源注入模型。结果显示,电流源模型与三维TCAD仿真得到的瞬态电流形状拟合更好,NMOS和PMOS器件收集电荷量的计...
关键词：单粒子效应 瞬态电流源模型 电路级仿真 SRAM 
基于SRAM软错误失效概率的交织距离选择模型
《微电子学》2017年第3期412-415,共4页任磊 李磊 武书肖 
自然科学基金NSAF联合基金资助项目(U1630133)
在静态存储器(SRAM)抗辐射加固设计中,单错误纠错码(SEC)联合交织是解决空间SRAM多比特翻转(MBU)的有效方法。交织距离(ID)的选择应当使MBU分布在不同的物理字中,ID越大,电路实现越复杂,功耗和面积也越大。基于SRAM在空间产生的MBU错误...
关键词：多位翻转 交织距离 静态随机存储器抗辐射加固 选择模型 
基于25 nm FinFET结构的SRAM单粒子效应研究
《微电子学》2017年第3期420-423,428,共5页崔力铸 李磊 刘文韬 
对基于25nm FinFET结构的SRAM单粒子效应进行研究。使用Synopsys Sentaurus TCAD仿真软件进行器件工艺校准,并对独立3DFinFET器件以及包含FinFET器件和HSpice模型的混合电路(如6管SRAM单元)进行单粒子瞬态仿真。通过改变重粒子入射条件...
关键词：FINFET TCAD HSPICE SRAM 单粒子翻转 
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