亚表面损伤层

作品数：13被引量：81H指数：5
导出分析报告
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
相关作者：郑红军王卓戴一帆卜俊鹏刘华松更多>>
相关机构：中国科学院中国工程物理研究院国防科学技术大学天津津航技术物理研究所更多>>
相关期刊：《航空精密制造技术》《压电与声光》《电子工业专用设备》《人工晶体学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金上海市科学技术委员会资助项目中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 主题=晶片x
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
β-Ga_(2)O_(3)晶体金刚石线锯切割的表面质量研究被引量：1
《人工晶体学报》2022年第12期2040-2047,2062,共9页李晖 高鹏程 程红娟 王英民 高飞 张弛 王磊 
本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001...
关键词：β-Ga_(2)O_(3)晶片 金刚石线锯 切割方向 亚表面损伤层 表面粗糙度 
超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第4期445-448,共4页卜俊鹏 郑红军 赵冀 朱蓉辉 尹玉华 
在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。
关键词：GAAS 抛光 亚表面损伤层 砷化镓 半导体 
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：7
《Journal of Semiconductors》1998年第8期635-638,共4页曹福年 卜俊鹏 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种...
关键词：SI-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部