亚微米

作品数：1399被引量：2347H指数：14
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鄂尔多斯盆地合水地区三叠系长7段页岩油储层特征及主控因素被引量：21
《岩性油气藏》2023年第2期80-93,共14页肖玲 陈曦 雷宁 易涛 郭文杰 
国家科技重大专项“CO_(2)捕集、驱油与埋存技术示范工程”(编号:2016ZX05056);西安石油大学研究生创新与实践能力培养计划“鄂尔多斯盆地陇东地区长9—长8油层组沉积环境特征及构造指示意义”(编号:YCS22112048)联合资助。
鄂尔多斯盆地合水地区是长庆油田页岩油勘探开发的重点区块。根据铸体薄片、物性分析、扫描电镜、高压压汞及核磁共振等测试分析结果,对鄂尔多斯盆地合水地区三叠系长7段页岩油储层特征及其主控因素进行了研究。研究结果表明:(1)合水地...
关键词：页岩油储层 亚微米孔 孔隙结构 砂质碎屑流砂体 浊流砂体 成岩作用 长7段 三叠系 合水地区 鄂尔多斯盆地 
热应力对深亚微米SRAM漏电流的影响
《半导体技术》2019年第2期135-139,共5页陈晓亮 陈天 钱忠健 张强 
国家科技重大专项资助项目(2009ZX02305-002)
浅槽隔离(STI)技术广泛应用于深亚微米CMOS集成电路制造,是工艺应力主要的来源之一。CMOS工艺采用牺牲氧化层(SAC OX)、栅氧化层以及退火等多道热工艺过程,由此产生的热应力对集成电路漏电流有重要影响。使用TCAD软件对STI结构应力分布...
关键词：浅槽隔离(STI) 热应力 漏电流 牺牲氧化层(SAC OX) 静态随机存储器(SRAM) 
基于高压压汞的致密储层微观孔隙结构特征研究——以鄂尔多斯盆地长6储层为例被引量：4
《中国石油大学胜利学院学报》2018年第2期18-20,共3页王学武 王厉强 时凤霞 
国家科技重大专项项目(2017ZX05013-001);山东省高等学校科研发展计划项目(J17KB077)
利用高压压汞技术,对鄂尔多斯盆地长6储层微观孔隙结构特征进行研究,分析不同渗透率岩心不同尺度空间所占的比例及对渗透率的贡献,评价孔喉结构特征参数及其对开发的影响。研究表明:高压压汞试验进汞饱和度高,能够较全面地反映致密储层...
关键词：致密储层 纳米 亚微米 孔隙结构 高压压汞 
一款深亚微米射频SoC芯片的后端设计与实现
《微处理机》2017年第6期1-6,共6页张志鹏 张超 刘铁锋 
国家科技重大专项;新一代宽带无线移动通信网重大专项资助(03专项);高实时WIA-PA网络片上系统(SoC)研发与示范应用(编号:2015ZX03003010)
随着集成电路的发展,片上系统芯片(SoC)技术广泛应用于多种领域中,越来越多的射频、模拟、存储器模块集成到一块芯片中。SoC芯片后端设计面临尺寸特征小,芯片规模大,物理设计复杂程度高等问题。良好的芯片版图设计是集成电路实现和成功...
关键词：片上系统芯片 后端布局 多时钟设计 时钟生成 后端流程 供电设计 
一种含LDE效应的深亚微米电路设计流程
《微电子学》2015年第5期670-672,共3页冯光涛 陈先敏 杨家奇 
国家科技重大专项02专项资助项目(2013ZX02301-001)
介绍了一种包含LDE效应的深亚微米电路设计流程。分析了100nm以下工艺节点LDE效应对器件的影响,以及传统集成电路设计方法的局限性。在此基础上,提出了包含LDE效应的电路设计方法,并通过中芯国际先进工艺节点的模拟电路设计实例进行了...
关键词：LDE效应 深亚微米 电路设计流程 模拟集成电路 
深亚微米工艺下单粒子瞬态引起的串扰效应
《微电子学与计算机》2015年第2期60-64,共5页蒋见花 卢奕岑 周玉梅 
国家科技重大专项(2009ZX02036-003)
随着集成电路工艺的发展,供电电压降低,线条变细,使得集成电路受到普通串扰和粒子辐射的影响更严重.由此对130~40nm工艺节点普通串扰和单粒子引起的串扰效应进行了对比分析.单粒子引起的串扰比普通串扰更加严重,而且随着工艺进步,单粒...
关键词：串扰 噪声 单粒子 
一种新型的自对准源漏接触技术
《微纳电子技术》2014年第5期328-332,共5页张琴 洪培真 崔虎山 卢一泓 贾宬 钟汇才 
国家科技重大专项资助项目(Y0GZ28X003)
提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术。这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料。在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以...
关键词：自对准源漏接触 金属侧墙 集成度 亚微米 前栅工艺 后栅工艺 
运放对压电陶瓷驱动电路系统精度影响的研究被引量：10
《电子测量技术》2014年第10期33-36,共4页王学亮 李佩玥 郑楠 崔洋 
国家重大科技专项02专题(2009ZX02205)项目
为了在光刻机投影物镜中使用压电陶瓷对像质补偿镜组进行精密定位,设计了一种以集成运算放大器构成的压电陶瓷驱动电路。针对光刻物镜中压电陶瓷的亚微米量级高精度定位要求,研究了驱动电路的系统精度要求,并对系统误差进行分解,着重分...
关键词：光刻物镜 压电陶瓷 驱动电路 误差分析 亚微米 
微米/亚微米双峰尺度奥氏体组织形成机制被引量：8
《金属学报》2014年第3期269-274,共6页武会宾 武凤娟 杨善武 唐荻 
国家科技重大专项资助项目2011ZX05016-004~~
通过冷轧变形结合变形后在820～870℃退火，在316L奥氏体不锈钢中实现了微米（3-5um为主）和亚微米（300-500nm为主）双峰晶粒尺度分布．在奥氏体冷变形过程中，形变孪生与应变诱导马氏体相变都集中发生于大变形阶段，据此推断奥氏体形...
关键词：微米 亚微米 双峰晶粒尺寸分布 原位拉伸 形成机制 
亚微米高精度曲率半径测量及其不确定度分析被引量：8
《光学学报》2014年第5期97-104,共8页彭石军 苗二龙 
国家科技重大专项(2009ZX02205)
针对高精度光学系统的需求,利用立式Fizeau型干涉仪,结合双频激光测长干涉仪,实现了亚微米量级的高精度曲率半径的测量。为了验证该测量系统的可靠性,分别使用两个参考镜对一系列不同曲率半径的光学零件进行了检测。对产生测量误差的主...
关键词：测量 曲率半径 立式干涉仪 不确定度 交叉测量 
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