掩膜

作品数：692被引量：1249H指数：12
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基于压缩感知的菲涅尔孔径编码无透镜成像(特邀)被引量：5
《光子学报》2022年第7期261-270,共10页吴佳琛 曹良才 
国家重点研究发展计划(No.2021YFB2802000)。
为了降低菲涅尔孔径编码成像的传输带宽,改善小尺寸像感器拼接成像质量,提出菲涅尔孔径编码成像的压缩感知重建算法。基于压缩感知理论框架对部分采样的编码图像重建可行性进行分析,指出压缩感知重建误差随波带片常数缩小而降低。根据...
关键词：无透镜成像 压缩感知 菲涅尔波带片 编码掩膜 图像重建 
时频面滑窗掩膜的多分量信号高效重构算法被引量：3
《电子与信息学报》2015年第4期804-810,共7页粟嘉 陶海红 饶烜 谢坚 
国家973计划项目(2011CB707001;国家自然科学基金(60971108;航空基金;西安电子科技大学基本科研业务费(BDY061428)资助课题
针对基于特征值分解的Wigner-Ville分布信号重构算法运算复杂度高这一问题,该文提出一种高效多分量信号重构算法。首先,通过分析Wigner-Ville逆变换公式,推导出瞬时时刻重构序列与原序列之间的联系,提出一种高效的信号重构算法。然后,...
关键词：信号处理 信号重构 WIGNER-VILLE分布 时频掩膜 多分量信号 
不同扩散掩膜方式对InGaAs平面探测器性能影响研究(英文)被引量：1
《红外与毫米波学报》2014年第4期333-336,共4页王云姬 唐恒敬 李雪 邵秀梅 杨波 邓双燕 龚海梅 
Supported by National Key Basic Research and Development Program of China(2012CB619200);the Key Program of the National Natural Science Foundation of China(61205105,,61007067,61376052)
测量了不同扩散掩膜生长方式的截止波长为1.70μm的InGaAs平面探测器的电学性能.其中,SiNx薄膜作为扩散掩膜,分别采用等离子体化学气相沉积（PECVD）和低温诱导耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD）生长.探测器焊接在杜瓦里测量,结果显...
关键词：INGAAS 诱导耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD) 扩散掩膜 暗电流 
超导Josephson隧道结的制备工艺及性能改善
《低温物理学报》2012年第5期333-336,共4页翟计全 常俊杰 许伟伟 朱冉 吉争鸣 陈健 
国家自然科学基金(批准号:61027008);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CBA00107;2011CBA00202)资助课题~~
超导Josephson隧道结是实现超导量子比特的基本元件.本文介绍了一种利用电子束曝光技术和电子束斜蒸发技术相结合的方法来制备铝超导Josephson隧道结.这种方法工艺简单,通过一次光刻就可完成;而且可以通过调节下层光刻胶厚度、斜蒸发角...
关键词：Al AL2O3 Al隧道结 双层光刻胶 悬空掩膜结构 斜蒸发 
一步掩膜法制备超低压ITO沟道纸上薄膜晶体管
《物理学报》2012年第4期402-406,共5页毛延凯 蒋杰 周斌 窦威 
国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2007CB310500);国家自然科学基金(批准号:10874042)资助的课题~~
基于一步掩模法工艺制备了一种新型的纸上双电荷层超低压薄膜晶体管.在室温射频磁控溅射过程中,仅仅利用一块镍掩模板,就可同时沉积出氧化铟锡(ITO)源漏电极和ITO沟道.在此基础上,以等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)合成的具有双电荷...
关键词：超低工作电压 一步掩模法 双电荷层 微孔SiO_2 
组件式GIS开发中获取降雨侵蚀力因子的技术实现——延河流域水土保持效益评价系统为例被引量：2
《安徽农业科学》2009年第15期7278-7280,共3页李静 
国家重点基础研究发展计划973项目(2007CB407203)
以延河流域水土保持效益评价系统为例,分析了当前水土保持工作中应用GIS平台获取降雨侵蚀力因子图层的困难,提出结合水土保持工作特点,利用组件式GIS平台ArcGIS Arcobjects进行二次开发,可快速、有效的获取降雨侵蚀力因子图层,并详述了...
关键词：降雨侵蚀力因子 IDW空间插值 掩膜 
表面硅微器件中掩膜和工艺流程的自动生成方法
《西安交通大学学报》2007年第9期1031-1035,共5页张长富 任泰安 卢德江 蒋庄德 
国家自然科学基金重点资助项目(50535030);国家重点基础研究发展规划资助项目(2004CB619302)
为消除目前手工设计掩膜和工艺流程的繁琐过程,提出了一种从表面硅微器件的三维结构模型自动生成掩膜和工艺流程的方法.该方法将三维器件模型作为输入,根据其组成特征的几何信息和材料信息识别出基底层、结构层、牺牲层和金属层等所有...
关键词：表面硅微器件 掩膜 工艺流程 生成方法 
组合材料芯片技术及其应用
《物理》2004年第6期419-423,共5页徐文兰 陆卫 
国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 68;60 2 44 0 0 2 );国家重点基础研究发展计划 (批准号 :G19980 614 0 4)资助项目
组合材料芯片技术是用一系列掩膜在同一块基片上获得含不同参数单元样品面阵的方法 .文章介绍了它在量子阱特性、碲镉汞零偏电阻值、三元合金制备、半导体深能级捕获截面的研究以及在波分复用器件、滤光片式分光元件制作方面的一些新应...
关键词：芯片技术 组合材料 掩膜 量子阱 碲镉汞零偏电阻值 
超分辨近场结构光盘读出信号的计算模型被引量：2
《光学技术》2004年第2期131-134,共4页刘嵘 徐端颐 齐国生 佘鹏 雷志军 
国家重点基础研究发展规划"973"资助项目(G19990330)
给出了超分辨近场结构光盘(Super RENS)读出信号的计算模型。以时域有限差分法为基础,结合高斯光束矢量模型和衍射方法,通过计算得到了物镜出瞳上的读出信号。计算结果表明,Super RENS具有超衍射极限的空间分辨能力,并且其读出信号的特...
关键词：超分辨近场结构 光盘 掩膜 时域有限差分法 高斯光束 衍射 计算模型 读出信号 
电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究被引量：5
《功能材料与器件学报》2003年第4期432-436,共5页王健 熊兵 孙长征 郝智彪 罗毅 
国家重点基础研究发展规划项目(No.TG2000036601);国家高技术研究发展计划项目(No.2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金(批准号:69896260-01)
深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO_2和Si_3N_4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF_6等离子体刻蚀Si_3...
关键词：干法刻蚀 掩膜 ICP INP 刻蚀端面 等离子体 
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