掩膜

作品数：693被引量：1262H指数：12
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半导体产业发展与摩尔定律的突破被引量：1
《半导体信息》2012年第2期4-5,共2页吴琪乐 
半导体产业正在面临一项挑战,即每两年微缩芯片特征尺寸的周期已然结束,我们正在跨入一个情势高度不明的阶段。业界目前面临的几项关键挑战都显示,芯片微缩的路程愈来愈艰困了。1.晶圆代工厂量产32/28 nm晶圆的周期延长到了三年左右。2...
关键词：摩尔定律 代工厂 掩膜 设计成本 容差 高分辨率 产品制造商 元件库 供应链 前几 
美国MIT研究结果显示电子束光刻可以到达9纳米的精度
《半导体信息》2011年第4期26-27,共2页郑冬冬 
美国麻省理工学院(MIT)的研究人员日前发表的一项研究成果显示,电子束"光刻"精度可以小到9纳米的范围,刷新了以前一项精度为25纳米的结果,这一进展有可能为电子束"光刻"和EUV(超紫外)光刻技术展开竞争提供了动力。
关键词：电子束光刻 光掩膜 研究成果 领先一步 强光源 
IEDM发布新型内存解决方案
《半导体信息》2009年第6期8-,共1页韩潇 
IEDM是介绍微电子学、纳米电子学、生物电子学领域器件研究的会议。美国东海岸地区创新成果显著,本年度的会议将在巴尔的摩举办。届时,来自世界各地的企业,大学和国家实验室的研究者们将会发布215篇论文报告。
关键词：内存芯片 器件 气相化学反应 IEDM 光刻工艺 掩膜 
KLA-Tencor的新型高分辨率TeraScanHR将掩膜版检测带入45纳米及以上节点的生产
《半导体信息》2007年第6期18-19,共2页章从福 
关键词：掩膜 检测带 KLA-TENCOR TeraScanHR 高分辨率 关键层 检测成本 领军 检测系统 副总裁 
NEDO成功开发线宽26nm的曝光设备
《半导体信息》2007年第5期38-38,共1页孙再吉 
关键词：线宽 NEDO NM 光刻胶 掩膜 研发小组 性能化 佳能公司 日本新能源 微细加工 
IBM与Toppan联合开发45 nm光掩膜
《半导体信息》2005年第5期16-17,共2页陈裕权 
美国IBM公司与Toppan Printing公司同意联合开发下一代45 nm半导体制程用的光掩膜。这两家公司开发一种光掩膜工艺,意在能及早地制造45
关键词：联合开发 IBM Toppan NM 光掩膜 开发目标 晶圆制造 工程技术人员 开发小组 制造技术 
固体沉浸技术问世 无掩膜光刻可成现实
《半导体信息》2004年第6期29-30,共2页郑冬冬 
《中国科技信息》2004年19期报道:光刻领域目前大热点是沉浸(immersion)技术。但美国亚利桑那大学的研究人员发明了所谓的"固体沉浸"(Solid immersion)技术,在光掩膜技术的Bacus研讨会上发表的论文中,预计该大学将描绘通过采用"固体沉...
关键词：掩膜 IMMERSION 中国科技信息 纳米探针 原子力显微镜 纳米管 天线结构 新颖奇特 
微反射镜非掩膜光刻方法引起美国防机构强烈兴趣
《半导体信息》2003年第6期25-26,共2页郑冬冬 
《亚太电子商情》2003年10月报道:由Semiconductor Research公司(SRC)及美国国防先进研究项目局组织的Low Volume Patterning Workshop预计将讨论基于微反射镜阵列的非掩膜光刻方法所存在的技术挑战。工作组旨在基于一个可编程或可重配...
关键词：掩膜 微反射镜 技术挑战 图形生成 研究项目 光脉冲 演示工具 光阻 小批量产品 合资企业 
Communicant开发出SiGeC设计套件
《半导体信息》2003年第3期38-39,共2页章从福 
Communicant半导体公司已开发出基于0.25μm技术的硅锗碳化物(SiGeC)BiCMOS设计套件。
关键词：Communicant SIGEC 生产工厂 传输频率 最大振幅 合作厂商 电压范围 处理性能 掩膜 
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