CMOS带隙基准

作品数：122被引量：308H指数：9
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低成本多路输出CMOS带隙基准电压源设计被引量：1
《现代电子技术》2012年第16期130-133,共4页蔡元 张涛 
湖北省教育厅科研项目资助(D20101104);湖北省自然科学基金计划项目(2011CDB234)
在传统Brokaw带隙基准源的基础上,提出一种采用自偏置结构和共源共栅电流镜的低成本多路基准电压输出的CMOS带隙基准源结构,省去了一个放大器,并减小了所需的电阻阻值,大大降低了成本,减小了功耗和噪声。该设计基于华虹1μm的CMOS工艺,...
关键词：带隙基准源 多路基准电压输出 温度系数 CADENCE 
一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计被引量：2
《现代电子技术》2010年第14期7-9,13,共4页牛宗超 杨发顺 丁召 王基石 马奎 张正平 
科技部支撑项目子专题:IPTV服务系统建设与示范(2008BADB6B02-06);省长基金:基于IPTV的农村信息化服务平台建设及应用示范贵州省科技攻关资助项目(黔省专合字(2008)3号);贵州省工业攻关计划项目:高精度低漂移集成电压基准源研究与试制(黔科合丁字[2008]3033);贵州大学研究生创新基金资助(省研理工2009003);贵州省农业攻关资助项目:面向贵州农村信息化远程多媒体视频点播关键技术研究(黔科合丁字[2009]3051)
提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25^+120℃范围的温...
关键词：带隙基准源 温度系数 动态反馈补偿 CMOS 
一种高精度CMOS带隙基准和过温保护电路被引量：1
《科协论坛（下半月）》2010年第3期70-71,共2页徐义强 刘诺 涂才根 
在分析标准的CMOS带隙基准原理的基础上,设计了高精度、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压发生器。其特点是采用内部电压减小电源噪声的影响;通过两个串联的二极管提高,减小运放失调的影响。该电路基于CSMC0.35um DPTM工艺,使用Spectre仿...
关键词：带隙基准 温度补偿 电源抑制比 正温度系数电流 
0.5μmCMOS带隙基准电路设计被引量：2
《国外电子元器件》2008年第12期79-81,共3页张明英 朱刘松 邢立冬 
依据带隙基准原理,采用华润上华(CSMC)0.5μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种用于总线低电压差分信号(Bus Low Voltage Differential Signal,简称BLVDS)的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低的温度系数和较高的电源抑制比...
关键词：模拟电路 电源 温度/带隙基准 抑制比 CMOS工艺 
无电阻CMOS带隙基准电压源的设计
《宇航计测技术》2007年第2期22-24,57,共4页窦建华 杨秀丽 
设计了一种高准确度无电阻的带隙基准电压源。该电路采用差分结构的电压传输单元来代替电阻,并且没有使用运算放大器,从而避免了运算放大器所带来的高失调和必须补偿的缺陷。电流源采用共源共栅结构,提高了电源抑制比。增加了启动电路,...
关键词：带隙基准 电压源 启动电路 温度系数 共源共栅电流源 
一种新的CMOS带隙基准电压源设计被引量：2
《华中科技大学学报（自然科学版）》2006年第2期36-38,共3页徐静平 熊剑波 陈卫兵 
国家自然科学基金资助项目(60376019)
设计了一种新的CMOS带隙基准电压源.通过采用差异电阻间温度系数的不同进行曲率补偿,利用运算放大器进行内部负反馈,设计出结构简单、低温漂、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源.仿真结果表明,在VDD=2 V时,电路具有4.5×10-6V/℃的温度...
关键词：带隙基准电压源 曲率补偿 CMOS 
一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源被引量：1
《电子科技》2006年第2期13-16,共4页唐华 肖明 吴玉广 
基于标准1μmCMOS工艺,针对1V供电电压,设计了一种自偏置PTAT电流产生电路和低电源、高增益的运算放大器,最终实现了低电源工作的带隙基准电路。在1V电源电压下,采用1μmCMOS工艺进行仿真,温度系数在-20～120℃范围内达到13×10-6,低频...
关键词：自偏置 PTAT 温度系数 电源抑制比 
一种低电压CMOS带隙基准源的分析与设计被引量：2
《电子科技》2005年第12期20-23,共4页杨永豪 
分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基...
关键词：CMOS带隙基准 温度系数 低电压 PTAT电流 
一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计
《电讯技术》2005年第5期131-134,共4页王丽芳 吴健学 
本文提出了一种采用0.25μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源。该电路结构简单,性能较好。用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6 ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V。而在其它模型下,也有较低的温...
关键词：基准电压 带隙基准 温度系数 温度补偿 电源抑制比 
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