CMOS带隙基准源

作品数：58被引量：185H指数：7
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一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源被引量：1
《微电子学》2016年第6期736-739,745,共5页冯春燕 翟江辉 李海鸥 郭建 杨年炯 李琦 
广西自然科学基金资助项目(2013GXNSFAA019335);桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(2016YJCX74);广西汽车零部件与整车技术重点实验室开放课题(2014KFMS04);广西无线带宽通信与信号处理重点实验室(GXKL061505)
在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,...
关键词：带隙基准源 宽温度范围 高温度稳定性 负反馈 胎压监测 
多路V/I输出的高性能CMOS带隙基准源被引量：4
《微电子学》2009年第4期503-507,共5页张正旭 李少青 马卓 肖海鹏 
国家自然科学基金资助项目(60873016;60876024);国家高技术研究发展(863)计划基金资助项目(2007AA01Z102;2008AA01Z147)
在传统CMOS带隙基准源的基础上，采用温度补偿和差分负反馈的方法，提出了一种多路V／I输出的高性能CMOS带隙基准源结构。基于0．5μmCMOS工艺，进行了设计实现。HSPICE仿真结果表明，该带隙基准源具有较低的温度系数（7．9×10^-6／℃...
关键词：带隙基准源 多路V/I输出 温度系数 电源抑制比 
CMOS带隙基准源研究现状被引量：43
《微电子学》2008年第1期57-63,71,共8页幸新鹏 李冬梅 王志华 
国家自然科学基金资助项目(60475018);北京市科技计划资助项目(D0305004040221-2-05)
带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。
关键词：带隙基准源 低电源电压 低功耗 高精度 高PSRR 
一种4ppm/℃曲率补偿CMOS带隙基准源被引量：8
《微电子学》2007年第1期101-104,共4页郑儒富 俞永康 
提出了一种采用新型曲率补偿技术的CMOS带隙基准源。该电路利用BJT电流和电压的指数关系,得到了高阶曲率补偿的基准电压。在-55^+125℃温度范围内,通过HSPICE仿真验证,基准电压的温度系数不到4ppm/℃。在此基础上,实现了可调节的基准电...
关键词：CMOS 温度补偿 带隙基准源 温度系数 
一种用于升压型DC/DC变换器的低压带隙基准源被引量：5
《微电子学》2007年第1期105-108,112,共5页杨喆 姚素英 徐江涛 
设计了一种应用于升压型DC／DC转换器芯片的高精度、低电压、低功耗带隙基准电压源，包含恒定电流的偏置电路、低压低功耗的运算放大器、三极管级联的带隙基准核心电路和低压启动电路四个部分。经过理论分析和仿真模拟，采用华虹NEC的5...
关键词：CMOS带隙基准源 升压型DC/DC转换器 恒流偏置电路 
一种曲率补偿CMOS带隙基准源(英文)被引量：3
《微电子学》2005年第5期531-533,共3页王帅旗 李福乐 王志华 张天义 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(60475018)
介绍了一种可提供1.438 V基准电压的曲率补偿带隙基准源.采用一种极其简单有效的方法,直接实现曲率补偿.该电路采用双金属双多晶硅0.6 μm CMOS工艺制造,用于驱动一个10位20 MS/s A/D转换器.仿真结果显示,该带隙基准源在室温5 V电源电压...
关键词：CMOS 带隙基准源 曲率补偿 低功耗 
一种高精密CMOS带隙基准源被引量：10
《微电子学》2003年第3期255-258,261,共5页王彦 韩益锋 李联 郑增钰 
　设计了一个与n阱工艺兼容的高精密CMOS带隙基准电压源电路。该电路实现了一阶PTAT温度补偿,并具有好的电源抑制比。SPICE模拟和测试结果表明,其电源抑制比可达到60dB,在20～70°C范围内精度可达到60ppm/°C。
关键词：带隙基准源 电源抑制比 温度系数 CMOS 温度补偿 集成电路 基准电压源 运放电路 启动电路 版图设计 
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