CMOS图像

作品数：1255被引量：2221H指数：19
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一种新型高动态范围CMOS图像传感器结构设计被引量：2
《集成电路应用》2024年第6期14-15,共2页乔劲轩 魏经纬 
阐述一种新型的高动态范围CMOS图像传感器结构。在新型CMOS图像传感器中,像素包括两个具有不同感光灵敏度的光电二极管以及多个电荷-电压转换增益档位,列电路具有多个模拟电压增益档位。根据该结构和读出方法,对每个像素只进行一次信号...
关键词：CMOS图像传感器 高动态范围 增益自适应 高帧率 
High K材料对CMOS图像传感器性能的影响分析
《集成电路应用》2024年第5期55-57,共3页王文轩 
阐述BDIT结构表面不同厚度的Ta_(2)O_(5)以及Al_(2)O_(3)材料对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,改变Ta_(2)O_(5)厚度对传感器QE以及高温性能影响较大,改变Al_(2)O_(3)厚度主要会影响高温性能。通过调整Ta_(2)O_(5)以及Al_(...
关键词：集成电路 背照式图像传感器 背面深沟槽隔离 暗电流 
前段结构对全隔离CMOS图像传感器性能的影响分析
《集成电路应用》2024年第5期10-12,共3页王文轩 
阐述全隔离图像传感器前段不同的金属接触孔结构、多晶硅结构对传感器光学以及电学性能的影响。实验结果表明,在像素隔离区域设置金属接触孔结构,或者同时设置金属接触孔与多晶硅结构,可以提升传感器红外光波段抗串扰能力,并且金属接触...
关键词：全隔离CMOS图像传感器 金属接触孔结构 多晶硅结构 
BDTI深度对CMOS图像传感器性能影响的分析
《集成电路应用》2023年第6期1-3,共3页邵泽旭 
阐述具有1μm小像素的CMOS图像传感器设计,不同的BDTI深度对背照式CMOS图像传感器性能的影响。实验发现,较深的BDTI可以有效降低像素间的串扰,提升图像传感器在长波长处的量子效率,同时能提升图像传感器在白光下的色彩饱和度。
关键词：CMOS图像传感器 BDTI深度 串扰 性能优化 
基于表面微结构与深沟道隔离协同的近红外响应增强CMOS图像传感器设计被引量：1
《集成电路应用》2023年第5期31-33,共3页邵泽旭 
阐述普通单晶硅在近红外区域消光系数偏低,需要设计不同表面微纳结构提升光程,以增加对近红外光的吸收,提高信噪比。然而,表面微纳结构将恶化传感器的暗电流和光学串扰,降低清晰度和分辨率。因此,在设计端需要将微纳结构与深沟道隔离协...
关键词：集成电路设计 CMOS图像传感器 BDTI 红外探测 
CMOS图像传感器CIS技术专利分析被引量：2
《集成电路应用》2020年第5期100-101,共2页石晨阳 
基于全球和中国专利申请状况,从国家/地区分布、技术演进路线、重要申请人等方面分析CMOS图像传感器CIS的专利状况。展望CMOS图像传感器的技术发展路径。
关键词：CMOS 图像传感器、专利分析、技术展望 
基于CMOS图像传感器的彩色滤镜和微透镜工艺研究被引量：1
《集成电路应用》2020年第2期34-36,共3页史海军 叶红波 
国家科技重大专题课题(2011ZX02702_004)
对CMOS图像传感器加工彩色滤镜和微透镜工艺进行深入研究,总结出整个滤镜和微透镜工艺的流程及加工方法。虽然其工艺具有相当的难度,然而平面化和微透镜技术是先进色彩处理技术必须解决和实现的关键问题,所以彩色滤镜的工艺继续开发和...
关键词：CMOS图像传感器 像素阵列 彩色滤镜 微透镜 工艺技术 
CMOS图像传感器改善灵敏度的工艺研究
《集成电路应用》2020年第1期23-25,共3页叶红波 史海军 
国家科技重大专题课题(2011ZX02702_004)
CMOS 图像传感器芯片(CIS)的功能是把光学图像的信号转换为电信号,采集电信号并传输图像信号的器件。CMOS 图像传感器广泛应用于手机数码产品、监控、汽车电子、工业应用、AR/VR、医疗以及科学探测等领域。通过对 CMOS 图像传感器色彩...
关键词：集成电路制造 CMOS图像传感器 色彩滤镜工艺 微透镜工艺 灵敏度 
一种用于激光背面测试CMOS图像芯片的封装方法研究
《集成电路应用》2020年第1期29-31,共3页史海军 叶红波 
国家科技重大专题课题(2011ZX02702_004)
研究方向是最终用于激光背面测试的 CMOS 图像芯片 PLCC 封装方法,通过采用 DOE 实验优化的方法,以封装工艺中键合的实际键合效率为依据,得出了关于封装中底部压块设计的最优方案,以确保 CMOS 图像芯片封装可以稳定高效地完成。
关键词：集成电路制造 CMOS图像芯片封装 PLCC封装 激光背面测试 DOE实验优化 键合 
一种通过优化热处理条件提升CIS器件性能的方法
《集成电路应用》2019年第8期40-42,共3页王艳生 焦爽 秋沉沉 徐炯 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500204)
成像暗线噪声和满阱电容是影响互补型金属氧化物半导体图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)芯片成像质量的重要性能参数。为了在单位面积内集成更多像素单元,单个像素尺寸不断缩小。一般来说,CIS芯片满阱电容与像素尺寸成正比。基于小尺...
关键词：热处理工艺 成像暗线噪声 满阱电容 CMOS图像传感器 
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