GAAS/AIGAAS

作品数：9被引量：10H指数：2
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相关作者：史衍丽曹婉茹周艳杨明珠何丹更多>>
相关机构：中国科学院昆明物理研究所华北光电技术研究所云南大学更多>>
相关期刊：《Chinese Physics Letters》《红外与激光工程》《物理学报》《科技通讯（上海船厂）》更多>>
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Structure and microwave properties analysis of substrate removed GaAs/AIGaAs electro-optic modulator structure by finite element method被引量：1
《Frontiers of Optoelectronics》2013年第1期108-113,共6页Kambiz ABEDI Habib VAHIDI 
2μm像元间距GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器被引量：6
《红外与激光工程》2008年第6期968-971,共4页史衍丽 曹婉茹 周艳 杨明珠 何丹 
武器装备预研先研究资助项目(40405030104)
量子阱焦平面探测器具有大面阵焦平面探测器重复性和均匀性好、成品率高、成本低等明显的产业化优势,在军民两用领域获得了广泛而重要的应用。为了尽快研制出全国产化高性能量子阱红外焦平面探测器,通过完全正向的器件设计,采用常规光...
关键词：GAAS/AIGAAS 量子阱红外探测器 长波 焦平面 噪声等效温差 
新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第4期503-506,共4页史衍丽 邓军 杜金玉 廉鹏 高国 陈建新 沈光地 尹洁 吴兴惠 
对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结...
关键词：GAAS/AIGAAS 量子阱红外探测器 暗电流特性分析 砷化镓 
Intersubband Third-Order Nonlinearities in a GaAs/AIGaAs Step Quantum Well Structure by Phase Conjugation Method
《Chinese Physics Letters》1995年第11期673-676,共4页LÜHuibin MA Jianwei CHEN Zhenghao CUI Dafu LV Huibin HE Meng YANG Guozhen 
In this letter,we present the observation of phase conjugation at 9.27μm in a GaAs/AlGaAs multiple step quantum well structure.The response is caused by the nearly resonant intersubband transition.The magnitude of X^...
关键词：transition. structure. CONJUGATE 
MOCVD GaAs/AIGaAs Multiquantum Well Structures and Observation upon the Intersubband Absorption
《Rare Metals》1993年第4期260-263,共4页徐现刚 黄柏标 任红文 刘士文 蒋民华 
Work supported by the National Natural Science Foundation of China.
This paper presents Atmospheric Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition(AP-MOCVD) growth of GaAs/Al-xGa_(1-x)As multiquantum wells for the study of intersubband transition.The multiple quantum well structures ...
关键词：MOCVD GaAs/AlGaAs quantum well Intersubband absorption 
GaAs/AIGaAs量子阱红外探测器的发展
《半导体光电》1993年第1期25-34,共10页汪艺桦 
半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。
关键词：量子阱结构 红外探测器 半导体材料 
MOCVD Growth of Heteroepitaxial Abrupt Interface in GaAs/AIGaAs Ultra-thin Layers
《Progress in Natural Science:Materials International》1993年第1期78-82,共5页刘士文 任红文 刘立强 徐现刚 黄柏标 蒋民华 
1 IntroductionAs an ideal lattice-matched semiconductor heterostructure material of group Ⅲ-Ⅴ,GaAs/AlGaAs exhibits large energy discontinuity of band-gap.Its hetero-junctions and re-lated quantum wells(QWs)as well a...
关键词：MOCVD GaAs HETEROSTRUCTURE QWs supertattices 
交叉电场和磁场下GaAs/AIGaAs超晶格子带结构
《物理学报》1990年第9期1465-1472,共8页范卫军 夏建白 
本文用有效质量理论计算了加平行磁场(方向平行于GaAs/AlGaAs界面)和垂直电场(方向垂直于界面)的超晶格子带结构和光跃迁。加平行磁场后,空穴子带的二重简并解除,轻重空穴混合。加电场后,产生Stark位移,电子和空穴能级发生一定位移。最...
关键词：电场 磁场 GAAS ALGAAS 超晶格 
GaAs／AIGaAs量子阱中电子浓度的自洽计算
《科技通讯（上海船厂）》1989年第1期14-18,共5页杨悦非 朱蔚雯 
关键词：GAAS/AIGAAS 量子阱 电子浓度 
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