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台积电发布28nm工艺首次采用了高-k和HKMG技术
《中国集成电路》2009年第1期7-7,共1页
日前,台积电发布了28nm工艺技术。该技术采用193nm的液浸光刻,并首次采用HKMG技术。晶体管的栅长最短为24nm。EOT(等效氧化膜厚度)为0.9nm,与该公司在07年IEDM上发布的未采用HKMG的32nm工艺技术的EOT值1.6nm相比,大幅削减了厚度。
关键词:台积电 技术 工艺 IEDM 膜厚度 晶体管 光刻 等效 
携手合作/技术开发
《电子与电脑》2008年第1期95-100,共6页
恩智浦半导体与台积电IEDM发表七项半导体技术及工艺创新;英飞凌宣布与英特尔展开技术合作开发高密度SIM卡解决方案;Siano与华旗及CMBSat连手针对2008年北京奥运推出移动数字电视解决方案;飞思卡尔和Quanta协作面向先进的视频和语音I...
关键词:技术开发 合作开发 半导体技术 移动数字电视 工艺创新 IEDM SIM卡 北京奥运 
化合物半导体新进展
《现代材料动态》2005年第9期3-5,共3页邓志杰(摘译) 
每年一次的国际电子器件与材料(IEDM)会议一直是反映该领域进展的“晴雨表”,2004年的会议也反映了一些主要的进展,本文不限于介绍这次会议而试图介绍化合物半导体方面的进展。IEDM的内容以Si基器件为主,但一些性能最好的器件往往...
关键词:化合物半导体 Ⅲ-Ⅴ族化合物 电子器件 IEDM GAAS 会议 SI基 材料 
英飞凌在IEDM展示新型穿隧式场效应晶体管
《变频器世界》2005年第1期33-33,共1页
2004年12月13-15日,在美国旧金山举行的2004年IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,英飞凌科技公司(Infineon Technologies)的科学家宣读了几份论文,展示了他们取得的成果。英飞凌和德国慕尼黑科技大学共同提出了一种适用于制造低压数字和...
关键词:穿隧式场效应晶体管 数字电路 模拟电路 可伸缩性晶体管 英飞凌科技公司 IEDM 
IEDM会议上发表的论文,显示半导体技术进展迅猛
《今日电子》2001年第2期8-9,共2页RodneyMyrvaagnes 王正华 
本届国际电子器件会议(IEDM)于12月11日到13日,在旧金山举行。从会议发表的论文内容可以看出,有许多振奋人心的成果,虽然这些成果并不是主流半导体技术取得的进展。一般地说IEDM和国际固体集成电路会议不同。
关键词:半导体技术 IEDM 国际会议 
在IEDM会议上展示的新型半导体器件
《电子产品世界》1995年第2期17-21,共5页FrankGoodenough 
虽然大多数国际电子器件会议(IEDM)论文都涉及到一些“主流”技术,如栅极长度小于0.1μm的CMOSFET,以及集成有十亿个晶体管的存储器和微处理器集成电路等取得的进展,但是大约有10多个会场分析研究了一些新颖器件所取得的进展.其中包括8...
关键词:半导体器件 MOSFET 发光二极管 晶闸管 真空管 
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