摇摆曲线

作品数：100被引量：251H指数：7
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6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响
《半导体技术》2022年第5期381-385,共5页房玉龙 张志荣 尹甲运 王波 芦伟立 高楠 陈秀芳 
大直径高质量SiC衬底对提高SiC和GaN器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温...
关键词：6英寸 SIC衬底 摇摆曲线 单晶质量均匀性 GaN外延 
用高分辨X射线衍射面扫描评估4H-SiC晶片结晶质量被引量：3
《半导体技术》2019年第6期477-482,共6页杨丹丹 王健 孙科伟 张胜男 金雷 程红娟 郝建民 
国家自然科学基金资助项目(51702297);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404103);天津市科技计划资助项目(17YFZCGX00520;17ZXCLGX00020)
介绍了高分辨X射线衍射(HRXRD)面扫描技术在评估4H-SiC抛光片整体结晶质量方面的应用。对4H-SiC抛光片整片及局部特定位置进行HRXRD摇摆曲线面扫描,并拟合摇摆曲线半高宽(FWHM)峰值得到的极图,观察4H-SiC抛光片表面的FWHM分布范围、分...
关键词：4H-SiC单晶 高分辨X射线衍射(HRXRD) 面扫描 摇摆曲线半高宽(FWHM) 晶界 
4H-SiC(004)面双晶衍射摇摆曲线的分析被引量：3
《半导体技术》2007年第7期581-584,共4页马永强 武一宾 杨瑞霞 齐国虎 李若凡 商耀辉 陈昊 牛晨亮 
国家重点实验室基金资助项目(9140C0606020606;51432040204DZ2);国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(51327020202;51327020201)
用X射线双晶衍射法(XRD)对4H-SiC衬底和在该衬底上外延生长的4H-SiC单晶样品(004)面进行测试,在所有样品的测试结果中发现,摇摆曲线主峰左侧160″附近均出现傍肩,并且主峰衍射强度也较低。依据X射线衍射理论对系统射线在测试样品(004)...
关键词：X射线双晶衍射 摇摆曲线 4H-SIC 双层原子结构 
InGaAsP／InP异质外延材料X射线衍射摇摆曲线中的干涉指纹
《半导体技术》1995年第5期61-63,66,共4页丁国庆 孙文华 魏铭鉴 崔光杰 
湖北省自然科学基金
讨论了ＭＯＣＶＤ外延膜Ｘ射线衍射摇摆曲线中干涉指纹的各种特征。指出了由干涉指纹测定薄膜厚度的精确性。研究了影响干涉指纹的因素，为正确识辨材料结构和改进生长工艺提供方便。
关键词：异质外延材料 摇摆曲线 干涉指纹 化合物半导体 
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