LDD结构

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LDD结构GaN HEMT转移特性分析
《经济技术协作信息》2021年第15期127-127,共1页李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 于和辰 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
LDD(Low-Density Drain)结构首次提出是在1978年,该结构最早多应用在MOSFET器件上,用来提升器件的击穿电压。伴随着第三代半导体GaN材料的不断发展,目前,LDD结构也用于GaN HEMT中,LDD结构GaN HEMT称为轻掺杂漏高电子迁移率器件。LDD结构...
关键词：LDD结构 MOSFET器件 击穿电压 GAN材料 HEMT 高电子迁移率器件 轻掺杂漏 转移特性 
LDD结构GaN HEMT器件制备工艺流程介绍
《经济技术协作信息》2021年第14期125-125,共1页李可欣 陈冲 侯佳琳 周杨鹏 何佳旺 
吉林建筑大学大学生创新创业项目《LDD结构GaN HEMT转移特性分析》资助。
完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料采用MOCVD以及HPVE方法进行生长。GaN材料的生长质量和器件的制备工艺共同决定了LDD GaN HEMT器件的性能,...
关键词：GAN材料 器件制作 势垒层 漏极 HEMT 缓冲层 源极 MOCVD 
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