LDMOST

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内场限环结构横向MOS晶体管的优化分析
《微电子学》1997年第3期155-158,共4页唐本奇 高玉民 罗晋生 
国家自然科学基金
讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化结构的耐压。
关键词：LDMOST 高压集成电路 MOS晶体管 
表面电场整形高压RESURF　LDMOST
《微电子学》1996年第4期221-225,共5页熊平 卢豫曾 
提出了采用对ＬＤＭＯＳ漂移区表面进行分段离子注入，对表面电场进行整形的一种新结构高压ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ。利用二维数值模拟对这种器件结构的分析表明，这种新结构显著降低了表面电场峰值，降低了采用ＲＥＳＵＲＦ技术导致...
关键词：半导体器件 功率器件 LDMOST 高压器件 RESURF 
高压RESURFLDMOST的开态电阻与关态电压
《微电子学》1995年第5期23-29,共7页熊平 卢豫曾 
降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ）原理可大大提高ＬＤＭＯＳＴ的器件性能。本文详细研究了用ＲＥＳＵＲＦ原理设计的ＬＤＭＯＳＴ的开态电阻与击穿电压的理论分析模型，并根据这一模型对ＲＥＳＵＲＦＬＤＭＯＳＴ的优化设计作了深入的讨论...
关键词：LDMOST 高压器件 功率IC 降低表面电场 
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