MBE

作品数：367被引量：417H指数：8
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基于Surfscan的椭圆缺陷测量
《微纳电子技术》2020年第8期674-679,共6页杨建业 夏英杰 张曦 潘国平 王建峰 
为满足快速准确测量分子束外延(MBE)生长的GaAs表面椭圆缺陷,提出了基于表面颗粒度扫描仪(Surfscan)测量椭圆缺陷的方法。根据理论计算,将Surfscan的测试模型由球形优化为更适用于椭圆缺陷的椭球形测试模型。由于椭圆缺陷的长轴基本都...
关键词：分子束外延(MBE) GAAS 表面颗粒 椭圆缺陷 表面颗粒度扫描仪 光学显微镜 
X射线光电子能谱法研究In0.53Ga0.47As基Er2O3薄膜的能带排列
《微纳电子技术》2019年第7期575-579,共5页潘小杰 徐海涛 姚博 朱燕艳 曾丽雅 方泽波 
国家自然科学基金资助项目(61504082,51672172);上海市自然科学基金资助项目(15ZR1418700);浙江省自然科学基金资助项目(LQ16F040001,LY15A040001);绍兴市科技规划资助项目(2017B70063,2015B70009)
采用分子束外延(MBE)法在In0.53Ga0.47As衬底上沉积了金属Er薄膜,后经氧气退火得到Er2O3薄膜。台阶仪测得该Er2O3薄膜厚约10 nm。X射线光电子能谱(XPS)显示,采用此方法得到的Er2O3薄膜符合化学计量比。原子力显微镜测试结果显示,该薄膜...
关键词：Er2O3/In0.53Ga0.47As异质结 高K栅介质 分子束外延(MBE) X射线光电子能谱(XPS) 能带偏移 
非掺杂区对GaAs隧道结的优化
《微纳电子技术》2016年第6期369-373,共5页张曦 韩颖 杨建业 师巨亮 夏英杰 
有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(J_p)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键。根据有限表面源扩散原理求解Fick扩散方程得到了隧道结界面处杂质扩散浓度分布,发现隧道结界面处的杂质扩散会增加空间电荷区宽度,导致...
关键词：隧道结 峰值隧道电流密度 非掺杂区 杂质扩散 分子束外延(MBE) 
GaAs隧道结中掺杂浓度对峰值隧道电流的影响
《微纳电子技术》2016年第5期292-296,350,共6页张曦 韩颖 杨建业 师巨亮 夏英杰 
有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(Jp)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键。根据隧道结的电子输运原理,隧道结p区价带费米能级之上的空量子态与n区导带费米能级之下的满量子态相等时,提高掺杂浓度对提高Jp的作用是...
关键词：隧道结 峰值隧道电流 量子态 掺杂浓度 分子束外延(MBE) 
快速率生长MBE InAs/GaAs(001)量子点被引量：1
《微纳电子技术》2009年第2期79-83,98,共6页吴巨 曾一平 王宝强 朱占平 王占国 
国家自然科学基金资助项目(60676029);973项目(2006CB604904;2006CB604908)
用快速率(1.0ML/s)生长MBE InAs/GaAs(001)量子点。原子力显微镜观察结果表明,在量子点体系形成的较早阶段,量子点密度N(θ)随InAs沉积量θ的变化符合自然指数形式N(θ)∝ek(θ-θc),这与以前在慢速生长(≤0.1ML/s)条件下出现的标度规...
关键词：分子束外延 InAs/GaAs(001) 量子点 InAs沉积量 形态变化 密度 
MBE自组装量子点生长和结构形态研究(续)
《微纳电子技术》2008年第9期498-504,共7页吴巨 金鹏 吕小晶 王占国 曾一平 王宝强 姚然 
国家自然科学基金资助项目(60676029);973项目(2006CB604904;2006CB604908)
关键词：自组装量子点 生长条件 结构形态 INAS/GAAS INAS量子点 MBE GAAS(001) 平衡形态 
MBE自组装量子点生长和结构形态研究被引量：1
《微纳电子技术》2008年第8期435-439,457,共6页吴巨 金鹏 吕小晶 王占国 曾一平 王宝强 姚然 
自然科学基金资助项目(60676029);973项目(2006CB604904;2006CB604908)
综述了对自组装量子点形态和生长过程所做的探讨和研究。介绍了关于量子点成核和形态的热力学理论、量子点生长过程的计算机模拟及Ge/Si(001)和InAs/GaAs(001)量子点生长和形态的实验观察。鉴于InAs/GaAs(001)体系的复杂性,把对InAs量...
关键词：分子束外延 SK生长模式 量子点 形态和生长 Ge/Si(001) InAs/GaAs(001) 
Al_xGa_(1-x)As/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长
《微纳电子技术》2002年第8期22-25,共4页谢自力 邱凯 尹志军 方晓华 陈建炉 蒋朝辉 
通过对MBE工艺中影响GaAs和AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了MBE生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构工艺。用GEN-ⅡMBE设备生长AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构材料。用范德堡法...
关键词：分子束外延 异质结 量子阱 调制掺杂 二维电子气 MBE工艺 铝镓砷三元材料 
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