MCT

作品数：323被引量：770H指数：10
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Dark conductivity and photoconductivity of amorphous Hg_(0.78)Cd_(0.22)Te thin films被引量：1
《Journal of Semiconductors》2011年第3期26-30,共5页邱锋 项金钟 孔金丞 余连杰 孔令德 王光华 李雄军 杨丽丽 李悰 姬荣斌 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60576069)
This paper reports the dark conductivity and photoconductivity of amorphous HgCdTe thin films deposited on an AlOsubstrate by RF magnetron sputtering.It is determined that dark conduction activation energy is 0.417 eV...
关键词：amorphous MCT dark conductivity PHOTOCONDUCTIVITY 
电流冲击对长波光导MCT探测器的影响
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期314-317,共4页刘大福 吴礼刚 徐国森 章连妹 靳秀芳 龚海梅 
对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测...
关键词：电流冲击 MCT 光导探测器 响应光谱 少子寿命 
MCT关断失效分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第3期280-285,共6页张鹤鸣 戴显英 王伟 
模拟分析了 MCT关断失效机理 ,并进行了实验验证 .结果表明 ,器件温度分布的不均匀性及元胞栅极寄生电阻的不等引起电流在芯片局部元胞集中 ,从而造成
关键词：判断 失效分析 栅控晶闸管 
MCT最大可关断电流的解析分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》1998年第6期442-446,共5页周宝霞 陈治明 
通过对ＭＣＴ关断存贮期电流分布及变化的动态分析，利用电荷控制原理推导出ＭＣＴ最大可关断电流的解析表达式，并且同利用通用器件模拟软件对同一器件进行的数值分析结果进行对比。
关键词：功率半导体器件 MCT 最大可关断电流 
用全扩散法制作MCT
《Journal of Semiconductors》1996年第9期664-666,共3页张发生 周如培 周宝霞 陈治明 
国家"八五"重大攻关项目;国家计委的资助
使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了...
关键词：全扩散法 MOS控制 晶闸管 硅片 MCT 
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