掺氧多晶硅

作品数：6被引量：6H指数：2
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SIPOS纵向结构对晶体管电压特性的影响被引量：2
《半导体技术》2003年第4期37-39,共3页石青宏 厉策 王军 何慧强 
通过对半绝缘多晶硅(SIPOS)膜纵向结构均匀性不同结果的对比,论述了SIPOS膜成分的纵向结构分布对晶体管的钝化作用的影响,同时根据实际生产提出一些改进SIPOS膜结构的方法。
关键词：SIPOS 纵向结构 晶体管 电压特性 半绝缘多晶硅 掺氧多晶硅 膜结构 
LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性
《半导体技术》1990年第4期51-55,46,共6页潘尧令 王云珍 
本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。
关键词：多晶硅薄膜 掺氧 淀积 LPCVD 
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