超低介电常数

作品数：26被引量：45H指数：4
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：苏和平唐莹李纯纯方亮段炼更多>>
相关机构：桂林理工大学上海华力微电子有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司三峡大学更多>>
相关期刊：《绝缘材料》《新材料产业》《半导体技术》《硅酸盐学报》更多>>
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碱性阻挡层抛光液中ULK介质抛光性能的研究被引量：2
《电镀与涂饰》2021年第2期102-108,共7页阳小帆 张保国 杨朝霞 李烨 李浩然 
河北省高层次人才资助项目百人计划项目(E2013100006)。
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO_(2)磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响。所用抛光液(pH=10)主要由0%~4%(质量分数,下同)SiO_(2)、0.075%H_(2)O_(2)、1%邻苯二甲酸氢钾和不同质...
关键词：超低介电常数介质 化学机械抛光 去除速率 碱性抛光液 
Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制
《半导体技术》2016年第12期929-932,共4页杨俊 刘洪涛 谷勋 
研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响。实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加。XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要原因。这...
关键词：CU CMP 超低介电常数(ULK) 介电常数k 退火 
铜阻挡层CMP解决方案
《今日电子》2008年第10期119-119,共1页
ACuPLANE铜阻挡层CMP解决方案是面向高级Cu／lowk材料互连应用的产品。ACuPLANE系统通过优化研磨垫和研磨液的组合性能，使缺陷率降低了一个数量级，同时还赋予客户更大的控制力，帮助客户最大限度减少金属和电介质的损耗。此外，ACuPL...
关键词：CMP 阻挡层 超低介电常数 铜 薄膜表面 研磨液 组合性能 数量级 
干法剥胶系统
《集成电路应用》2006年第10期53-53,共1页
300mm硅片干法剥胶系统Gamma Express适用于65纳米和45纳米技术节点。它能够同时满足半导体前道与后道工艺的生产要求。设备在全球已经销售超过160台，每月处理1200多万次硅片。它能够尽可能的减少由于剥离注入层光刻胶而引起的硅材料...
关键词：系统 干法 EXPRESS 超低介电常数 技术节点 生产效率 GAMMA 绝缘材料 
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