超辐射发光管

作品数:29被引量:39H指数:4
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利用三量子阱结构拓宽1550nm InGaAlAs超辐射发光管光谱被引量:2
《固体电子学研究与进展》2018年第2期121-126,共6页孙春明 张晶 祝子翔 陈锋 
吉林省重大项目招标(20170203014GX)
为了拓宽1 550nm InGaAlAs超辐射发光二极管(SLD)的输出光谱,采用三量子阱结构(分别对应1 530、1 550、1 570nm中心激射波长)作为有源区制作了1 550nm SLD,并在器件非出射端部分制作成非注入吸收区,通过吸收区抑制激射。实验结果表明研...
关键词:超辐射发光二极管 三量子阱 复合效率 中心波长 
大功率短波长InAlGaAs/AlGaAs量子点超辐射发光管被引量:3
《发光学报》2016年第6期706-710,共5页王飞飞 李新坤 梁德春 金鹏 王占国 
国家自然科学基金(61274072,61306087);“863”国家高技术研究发展计划(2013AA014201)资助项目
为了满足超辐射发光管的短波长应用,采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6A脉冲电流注入下,器件峰值输出功率为29mW,中心波长为880nm,光谱半高宽为20.3nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法...
关键词:超辐射发光管 自组织量子点 干法刻蚀 
非均匀阱宽多量子阱155μm高功率超辐射光源被引量:4
《中国激光》2003年第2期109-112,共4页刘杨 宋俊峰 曾毓萍 吴宾 张源涛 许呈栋 杜国同 
国家"86 3"高技术计划 ;国家自然科学基金 (6 0 0 770 2 1) ;973重大基础研究项目 (G2 0 0 0 0 36 6 0 5 )资助项目
采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱 ,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果 ,制得了新型的 1 5 5 μm高功率宽光谱InGaAsP InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱有很大变化 ,...
关键词:量子光学 超辐射发光管 非均匀阱宽多量子阱 半导体光放大器 单片集成 光谱分割 多波长光源 
长波长超辐射集成光源
《光电子.激光》2000年第1期26-28,共3页刘杨 刘琨 宋俊峰 殷景志 康博南 杜国同 
国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学基金资助项目 !( 697770 0 5 );教育部博士点基金资助项目
为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成 ,制得了 1.3μm长波长超辐射集成光源 ,取得了初步的实验结果 ,验证了这种长波长集成器件的可行性。脉...
关键词:超辐射发光管 半导体光放大器 光源 光波复用 
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
《自然科学进展(国家重点实验室通讯)》1998年第4期488-492,共5页赵永生 杜国同 韩伟华 付艳萍 李雪梅 宋俊峰 姜秀英 高鼎三 Gregory Devane Kathleen A.Stair R.P.H.Chang 
国家自然科学基金(批准号:69577008)
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器...
关键词:超辐射发光管 锥形光放大器 单片集成 半导体 
长波长1.3μm超辐射发光管的制备
《半导体技术》1996年第6期25-28,共4页鲍海飞 石家纬 刘明大 金恩顺 李淑文 
对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜(AR)制备超辐射发光管(SLD),测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布,并计算了器件端面的剩余反射率。
关键词:超辐射发光管 减反射膜 剩余反射率 
长波长1.3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备
《红外与激光技术》1995年第4期56-59,共4页鲍海飞 石家纬 刘明大 
本实验采用IL-400型膜厚速率控制仪和钼舟,对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管,并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。
关键词:超辐射 发光二极管 钼舟 半导体激光器 
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