超深亚微米

作品数：87被引量：168H指数：5
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超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作
《微电子学》2005年第1期93-96,99,共5页王志玮 徐秋霞 
自然科学基金资助项目(60276022)
进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越 的障碍。普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩尔定律的寿命。其中,双栅CMOS被认为是 新结构中的首选。在制作平面型双栅MOS器件中,采用自对准假栅结构...
关键词：双栅MOSFET 自对准 亚微米工艺 假栅 
自对准硅化物工艺研究被引量：4
《微电子学》2004年第6期631-635,639,共6页王大海 万春明 徐秋霞 
　对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析。结果表明,随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不断提高,常规Ti和Co的自对准硅化物工艺已经不能满足器件特...
关键词：超深亚微米 CMOS器件 自对准硅化物 纳米器件 Ni自对准硅化物 
超深亚微米单元工艺库快速表压缩方法被引量：2
《微电子学》2004年第1期41-44,47,共5页栾志国 严晓浪 罗小华 葛海通 
国家自然科学基金资助项目(90207002)
　针对超深亚微米集成电路工艺库中的快速查表模型,提出了一种新的曲面拟合方法,实现了表压缩。从建立相应的数学模型入手,提出一种完备的表压缩方法。试验结果表明,在指定表大小的前提下,此压缩方法能在整体上得到相当小的偏差。
关键词：超深亚微米单元工艺库 快速表压缩模型 超深亚微米集成电路 曲面拟合 表压缩 
单元特性提取中采样点偏离现象的研究被引量：2
《微电子学》2003年第1期22-25,共4页李伟良 葛海通 罗晓华 梁中书 严晓浪 
　为使应用于集成电路设计中的单元时序信息库更能反映实际情况,研究了特性提取中出现的采样点分布偏移和格点偏离现象,并提出了有效的解决方法。该方法通过建立查表模型,无需多次重复仿真就能准确定位任意采样点。理论分析和仿真结果...
关键词：超大规模集成电路 特性提取 采样点 查表模型 超深亚微米工艺 时序信息库 采样点 
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