郭世平

作品数:6被引量:18H指数:2
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供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文主题:碲镉汞分子束外延HGCDTE长波碲镉汞材料更多>>
发文领域:电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
发文期刊:《红外与毫米波学报》《量子电子学报》《电子显微学报》更多>>
所获基金:国家高技术研究发展计划更多>>
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ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制
《量子电子学报》2000年第2期139-144,共6页王善忠 谢绳武 庞乾骏 郑杭 夏宇兴 姬荣斌 巫艳 杨建荣 乔怡敏 于梅芳 杜美容 郭世平 何力 
为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等.ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用 MBE技术对 ZnSe材料进行生长控制和...
关键词:蓝绿色半导体激光器 ZNSE 生长控制 单晶薄膜 
Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究被引量:1
《电子显微学报》1997年第4期385-388,共4页王善忠 姬荣斌 巫艳 许颐璐 郭世平 何力 
本文报道ZnSe基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、p型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ZnSe材料的生长。实验证明国产MBE设备能够自洽生长优质ZnSe单晶薄膜;用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂...
关键词:分子束外延 蓝绿发光器 硫化锌 MBE 
红外透射光谱在HgCdTe外延薄膜性能评价中的应用被引量:13
《红外与毫米波学报》1996年第5期327-332,共6页杨建荣 王善力 郭世平 何力 
国家863高技术基金
用最新发表的HgCdTe材料的光学常数对MBE工艺生长的HgCdTe/CdTe/GaAs材料的透射光谱进行了理论计算.对受生长工艺破坏的衬底背面再次进行抛光处理,消除因表面不平整引起的漫反射效应,使实验测量得到的光谱...
关键词:HGCDTE 外延层 红外透射光谱 薄膜 
P型长波Hg_(1-x)Cd_xTe材料MBE生长技术研究被引量:7
《红外与毫米波学报》1996年第5期333-337,共5页王善力 杨建荣 郭世平 于梅芳 陈新强 方维政 乔怡敏 袁诗鑫 何力 张勤耀 丁瑞军 辛田玲 
国家863高技术和中国科学院资助
用分子束外延的方法在GaAs(211)B衬底上研制了P型长波HgCdTe材料,及32×32小规模长波混成红外焦平面列阵,其材料的均匀性以及生长材料的参数的可重复性良好.在适当的热处理条件下,材料P型电学参数达到了较高...
关键词:分子束外延 P型 HGCDTE 
HgCdTe-CdTe异质结构的变频导纳特性
《红外与毫米波学报》1996年第2期87-92,共6页赵军 郭世平 方家熊 
采用宽频带导纳测试系统研究了Hg0.66Cd0.34Te-CdTe异质结构和Al-半绝缘CdTe-Hg0.66Cd0.34Te结构样品的变频导纳特性,分析了不同结构样品的测试结果,表明:异质结HgCdTe表面空穴积累...
关键词:HGCDTE CDTE 异质结 导纳测量 
砷离子注入CdTe薄膜热退火效应的共振喇曼与荧光光谱研究被引量:1
《红外与毫米波学报》1996年第1期23-28,共6页张家明 郭世平 袁诗鑫 沈学础 
应用共振喇曼和荧光光谱系统地研究了As离子注入CdTeMBE外延膜的热退火行为.发现随着退火温度(TA)升高至440℃,其晶格恢复和缺陷态消除得最完整,当TA高于440℃,晶格质量陡峭地下降,TA越高,越多的As占据...
关键词:光谱 离子注入 热退火 散射谱 荧光谱 碲化镉  
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