王善忠

作品数：11被引量：12H指数：1
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供职机构：上海交通大学更多>>
发文主题：ZNSE半导体激光器硒化锌MBEBE更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光电子技术》《量子电子学报》《电子显微学报》《红外与毫米波学报》更多>>
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p^+-ZnSe:N单晶薄膜的MBE生长与特性研究被引量：1
《红外与毫米波学报》2000年第5期397-400,共4页王善忠 谢绳武 庞乾骏 姬荣斌 巫艳 何力 
研制了石英质射频激励等离子体活性氮源 ,将此氮源安装到国产 FW- 型分子束外延设备上 ,成功地生长了 p型 Zn Se:N优质单晶薄膜 .SIMS测量表明 ,薄膜中氮浓度高达～ 1.5× 10 2 0 cm- 3;PL 测量表明 ,氮在 Zn Se中形成了受主能级 ;C- ...
关键词：氮掺杂源 单晶薄膜 硒化锌 半导体 
ZnSe:Cl,N单晶薄膜中载流子浓度的电学法测量和光学法确认被引量：1
《量子电子学报》2000年第1期85-89,共5页王善忠 谢绳武 庞乾骏 郑杭 夏宇兴 姬荣斌 巫艳 李标 杨建荣 何力 
国家杰出青年基金;上海市应用物理中心资助
为了证实某一研究结果的正确性，常常需要采用两种以上相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算．本文采用新颖的远红外光谱技术和常用的Ｈａｌｌ、Ｃ－Ｖ等电学测量技术同时对ＭＢＥ生长的ＺｎＳｅ：Ｃｌ，Ｎ薄膜中的载流于浓度进行...
关键词：单晶薄膜 载流子浓度 电学法测量 光学法测量 
ZnSe基蓝绿色半导体激光器研究进展被引量：5
《量子电子学报》1999年第5期385-391,共7页王善忠 谢绳武 庞乾骏 郑杭 夏宇兴 
在全彩色显示、高密度激光存储、高速打印、高分辨图像处理和战地生化检测等强力推动下，ZnSe基蓝绿色半导体激光器的研究近年来取得了里程碑式的研究结果．为了明确该领域的研究方向，以便分析在实用化进程中必须解决的主要问题，本文...
关键词：ZnSe基材料 激光二极管 半导体激光器 激光器 
掺氮ZnSe外延层的光致发光研究被引量：1
《红外与毫米波学报》1999年第1期13-18,共6页朱作明 刘南竹 李国华 韩和相 汪兆平 王善忠 何力 姬荣斌 巫艳 
国家自然科学基金
报导了掺氮ＺｎＳｅ外延层的光致发光，研究了与氮受主有关的发光峰随温度和激发强度的变化关系．１０Ｋ下施主－受主对发光峰随激发强度的增加向高能方向移动，且峰强呈现饱和趋势．在１０～３００Ｋ温度范围光致发光谱表明，随着温度...
关键词：光致发光 束缚激子 掺氮 硒化锌 外延层 
Be基Ⅱ-Ⅵ族四元合金对蓝绿激光器发光层载流子的限制作用
《Journal of Semiconductors》1998年第7期481-488,共8页王善忠 何力 沈学础 
国家杰出青年基金;上海市应用物理中心资助
ＺｎＳｅ基激光器的退化缺陷（特别是层错缺陷）严重地影响了长寿命器件的获得．人们开始将注意力投向离子性较低的Ｂｅ基化合物，希望Ｂｅ的加入能有效地改善器件的性能．由于对Ｂｅ基化合物的了解十分有限，本文从基本的原子参数出发...
关键词：化合物半导体 四元合金 蓝绿激光器 载流子限制 
新型蓝绿发光材料Znse/BeTe超晶格的能带剪裁
《量子电子学报》1998年第3期245-252,共8页王善忠 何力 沈学础 
国家杰出青年基金;上海市应用物理中心资助
由于器件的快速退化，101.5小时似乎成了Znse基蓝绿色半导体激光器难于逾越的寿命极限。分析退化机制，发现在强电流注入的半导体激光器中，热退化具有重要影响。研究表明，用作载流子限制层的宽带Ⅱ-Ⅵ族四元合金（如ZnMgSSe）只能对Z...
关键词：包络函数理论 能带剪裁 蓝绿色 半导体激光器 
Be基Ⅱ-Ⅵ族宽带四元合金的晶格参数与带隙参数被引量：1
《Journal of Semiconductors》1998年第4期245-253,共9页王善忠 何力 沈学础 
国家杰出青年基金;上海市应用物理中心资助
分析了三元合金ｂｏｗｉｎｇ参数的计算公式，指出Ｚ值应当为替换原子的价电子数；通过与实验值的比较，将三元合金分为共阳离子型和共阴离子型两类；对共阳离子体系忽略库仑屏蔽作用，库仑屏蔽参数Ｓｃｒ取零，对共阴离子体系具有较强...
关键词：四元合金 铍 硒化锌 晶格参数 带隙参数 
等离子体活性氮源的研制被引量：2
《光电子技术》1998年第1期54-59,共6页王善忠 许颐璐 姬荣斌 巫艳 俞锦陛 乔怡敏 于梅芳 杨建荣 何力 
国家杰出青年基金;上海市应用物理中心资助
ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下，利用装备有该...
关键词：射频激励 等离子体 活性氮源 发光器件 
Be基蓝绿激光器载流子约束的LCAO理论研究被引量：1
《量子电子学报》1998年第1期1-9,共9页王善忠 何力 沈学础 
国家杰出青年基金;上海市应用物理中心资助
本征的强离子性，使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷，严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低的Be基化合物，希望用Be基Ⅱ-Ⅵ族材料取代ZnSe基材料，抑制蓝绿激光器的退化。要研制半导体激光器...
关键词：蓝绿激光器 LCAO理论 半导体激光器 
Ⅱ-Ⅵ族宽禁带蓝绿色发光器材料的MBE研究被引量：1
《电子显微学报》1997年第4期385-388,共4页王善忠 姬荣斌 巫艳 许颐璐 郭世平 何力 
本文报道ＺｎＳｅ基ⅡⅥ族宽带发光材料分子束外延系统的建立、ｐ型掺杂用等离子体活性氮源的研制、两性掺杂的ＺｎＳｅ材料的生长。实验证明国产ＭＢＥ设备能够自洽生长优质ＺｎＳｅ单晶薄膜；用自制的等离子体活性氮源作受主掺杂剂...
关键词：分子束外延 蓝绿发光器 硫化锌 MBE 
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