杨伟毅

作品数：20被引量：26H指数：3
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供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
发文主题：砷化镓光电子能谱GAAS类金刚石碳膜光电阴极更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>
发文期刊：《光学学报》《南京理工大学学报》《功能材料》《真空科学与技术学报》更多>>
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用变角XPS定量分析研究GaAs光电阴极激活工艺被引量：1
《真空科学与技术》2002年第6期399-402,433,共5页汪贵华 杨伟毅 宗志园 
用变角X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了GaAs光电阴极的激活工艺 ,定量计算了阴极表面激活层和界面氧化层的厚度和组成。界面氧化物是由于O原子穿过激活层 ,扩散到GaAs与 (Cs,O)激活层的界面上而形成的。导入过量O会增加O GaAs界面层的...
关键词：变角XPS 定量分析 GAAS 激活工艺 砷化镓 光电阴极 变角X射线光电子能谱 
(Cs,O)/GaAs热退火的变角XPS定量研究被引量：3
《真空与低温》2001年第1期58-62,共5页汪贵华 富容国 杨伟毅 
用变角 X射线光电子能谱 (XPS)技术分析了 GaAs光阴极的表面及其在热退火后的效应，首次定量地计算了 (Cs,O)/GaAs系统的表面 (Cs,O)层和界面 (Ga,As)弛豫层的厚度和组分。 (Cs,O)/GaAs系统在 625～ 650℃的热退火后， (Ga,As)驰豫层厚...
关键词：变角X射光电子能谱 光电阴极 层结构 热退火 砷化镓 
GaAs(100)热退火表面的变角XPS定量分析
《Journal of Semiconductors》2000年第7期657-661,共5页汪贵华 杨伟毅 常本康 
利用变角 X射线光电子能谱 (XPS)及其层状结构的计算程序分析和计算 Ga As(1 0 0 )在60 0— 675℃热退火处理后表面组分 /深度的定量变化 .在 Ga As表面氧化物与衬底之间存在一过渡层 ,即弛豫层 ,该层在自然情况下为富 As的结构 ,经 60 ...
关键词：砷化镓 X射线光电子能谱 热退火 
Cs/p-GaAs(100)表面的变角XPS研究被引量：2
《真空科学与技术》2000年第3期176-178,206,共4页汪贵华 杨伟毅 常本康 
在实验数据的基础上 ,采用变角XPS分析表面层状结构的计算程序 ,应用了新算法 ,使该程序能快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。计算了Cs吸附在清洁p GaAs(1 0 0 )表面上的Cs层覆盖率及弛豫层的厚度和组分。在Cs/GaAs达到峰值光...
关键词：砷化镓 铯吸附 变角XPS 覆盖率 表面层结构 
高增透的类金刚石碳膜的红外吸收特性研究被引量：3
《光学学报》2000年第5期638-641,共4页汪贵华 杨伟毅 常本康 
利用射频等离子体分解甲烷的技术在锗片上沉积了非晶结构的类金刚石碳膜。傅里叶红外光谱仪测量显示镀覆了类金刚石碳膜的锗片在红外范围内具有高增透作用 ,特别在 174 0～ 2 0 4 4cm-1其峰值透过率高达 99% ,在 94 5.7cm-1(10 .6 μm)...
关键词：射频等离子体沉积 类金刚石碳膜 红外吸收特性 
光阴极材料GaAs/AlGaAs的组分分析被引量：2
《真空科学与技术》1999年第6期456-460,共5页汪贵华 杨伟毅 常本康 
为探索砷化镓光阴极的光电灵敏度的影响因素 ,利用X射线光电子能谱、二次离子质谱和电化学方法测试和分析了国内和国外GaAs光阴极材料GaAs/AlGaAs的C ,O含量和空穴浓度分布。实验发现 ,国内的材料在GaAs/AlGaAs界面及AlGaAs层的O含量分...
关键词：光阴极 X射线 光电子能谱 二次离子质谱 砷化镓 
变角XPS定量分析的研究被引量：6
《真空与低温》1999年第4期242-245,共4页汪贵华 杨伟毅 常本康 
综述了变角Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ） 分析表面的原理和计算方法，获得了变角ＸＰＳ分析表面／深度的定量计算程序，可快速可靠地计算多层多种组分的含量和层厚度。
关键词：变角XPS 层结构 组分 定量分析 
Si片上PbTiO_3薄膜的XPS研究
《真空科学与技术》1999年第2期97-101,共5页汪贵华 杨伟毅 
用溶胶 凝胶方法在Si上成功地制备了钙钛矿型的PbTiO3薄膜。X射线衍射结果显示 ,在热处理温度为 750～ 90 0℃范围内 ,随温度升高 ,薄膜由多晶结构转变为定向结晶。X射线光电子能谱分析发现 ,薄膜表面存在SiO2 薄层 ,其厚度大约为 0 ...
关键词：溶胶-凝胶法 钛酸铅 薄膜 硅 铁电薄膜 XPS研究 
微通道板电极表面的XPS分析被引量：4
《真空科学与技术》1998年第4期298-301,共4页车晶 李晓峰 杨伟毅 常本康 
为探索微通道板的噪声来源，利用X射线光电子能谱对国内和国外MCP电极表面进行组分分析。实验发现，在国外MCP电极表面上只检测到Ni，Cr，C，O等原子谱峰，而在国内的MCP电极表面还检测到K，Na，Si等原子谱峰，且在国产未镀电极的MCP表...
关键词：微通道板 电极表面 X射线 光电子能谱 
二代像增强器 MCP 的 XPS 分析被引量：2
《南京理工大学学报》1998年第2期149-152,共4页车晶 杨伟毅 李晓峰 常本康 
国防科技预研行业基金
为降低微通道板（ＭＣＰ）的噪声，提高二代像增强器的产品成品率，该文利用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）对二代倒像管和近贴管的ＭＣＰ电极表面进行组份分析。实验发现用氩离子（Ａｒ＋）溅射３ｍｉｎ后，在近贴管的ＭＣＰ电极表面检测不到...
关键词：像增强器 微通道板 能谱分析 X光电子能谱 
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