谢家志

作品数:6被引量:27H指数:3
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供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题:抗辐射加固SOI微电子器件SIGECMOS工艺更多>>
发文领域:电子电信更多>>
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所获基金:模拟集成电路国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
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人工智能在运算放大器设计中的应用研究
《微电子学》2024年第4期653-658,共6页乔寓然 王鹏 谢家志 
国家自然科学基金资助项目(60906009);中国博士后科学基金资助项目(20090451423);重庆科委基金资助项目(CSTC2010AA2004)。
近年来,人工智能技术在集成运算放大器设计中的应用成效逐步显现。本文阐述了利用神经网络技术,辅助运算放大器设计的基本原理和研究现状。重点描述了如何通过使用深度Q网络结合粒子群优化、多目标遗传算法结合SPICE优化、贝叶斯优化等...
关键词:运算放大器 模拟集成电路 人工智能 神经网络 贝叶斯优化 
抗辐射加固技术发展动态研究被引量:4
《微电子学》2022年第2期197-205,共9页毛海燕 赖凡 谢家志 张健 
国家自然科学基金资助项目(60906009);中国博士后科学基金资助项目(20090451423);重庆科委基金资助项目(CSTC2010AA2004)。
辐射效应已成为影响集成电路(IC)在宇宙空间可靠应用的主要因素。文章对IC抗辐射加固技术的研究进展进行了综述。首先,简介了抗辐射加固技术。然后,综述了抗辐射加固技术国外发展动态,介绍了美国在抗辐射加固技术方面的管理方式、技术...
关键词:抗辐射加固 集成电路 航天电子 高性能空间飞行计算 
基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源被引量:4
《微电子学》2021年第1期1-4,共4页杨晗 侯晨琛 钟泽 谢家志 廖书丹 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802011503)。
采用65 nm CMOS工艺,设计了一种基于MOS亚阈区特性的全CMOS结构电压基准源。首先利用工作在亚阈值区NMOS管的栅源电压间的差值得到具有特定2阶温度特性的CTAT电压,该CTAT电压的2阶温度特性与PTAT电压2阶温度特性的弯曲方向相反。再通过...
关键词:65 nm CMOS工艺 亚阈区 电流镜技术 2阶温度补偿 
超高速光互连系统级封装技术前沿研究被引量:1
《微电子学》2020年第6期885-889,共5页谢家志 毛海燕 赖凡 杨晗 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(614280204030317)。
光互连系统级封装技术是用光互连在封装尺度上代替铜互连,以突破目前芯片间通信低速度瓶颈。超高速光互连系统级封装的目标是开发出可集成光子收发器,并嵌入到现代尖端的系统级封装中(SiP)中,以提高并行计算系统的数据传输效率或速度。...
关键词:光互连 硅光子 INP 光学I/O 系统级封装 
微电子器件抗辐射加固技术发展研究被引量:18
《微电子学》2014年第2期225-228,236,共5页王健安 谢家志 赖凡 
对微电子器件抗辐射加固的发展态势进行了分析研究。目前,对微电子器件进行抗辐射加固的主要技术是抗辐射加固设计和抗辐射加固工艺;微电子技术的进步促进了抗辐射加固的新设计技术、新工艺技术、封装技术和试验手段不断发展,刺激了完...
关键词:微电子器件 抗辐射加固 SOI SIGE 
一种脉冲调制信号鉴频器的设计
《微电子学》2004年第6期685-688,共4页陈爱华 谢家志 
 介绍了脉冲调制信号鉴频器构成的原理,详细分析了影响其温度稳定性的各种因素,并给出了相应的解决措施。采用具有温度补偿措施的双二极管整流电路,解决了对鉴频器温度性能影响最大的整流电路温度变化问题。所设计的脉冲调制鉴频器在-2...
关键词:脉冲调制信号 鉴频器 斜率鉴频 磁控管 AFC 
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