周鸿仁

作品数：17被引量：40H指数：4
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发文主题：绝缘薄膜锰铜传感器无机材料直流磁控溅射磁控溅射更多>>
发文领域：自动化与计算机技术电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《功能材料》《真空科学与技术学报》《高压物理学报》《电子科技大学学报》更多>>
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箔式锰铜传感器的新进展
《功能材料》2005年第12期1957-1958,共2页崔红玲 杨邦朝 杜晓松 周鸿仁 滕林 
"十五"电子预研资助项目(AW030412)
箔式锰铜传感器主要应用于动高压的测试中,现有的箔式锰铜传感器采用有机物作为绝缘层,其测压上限为40GPa。而采用绝缘封装层为Al2O3薄膜的箔式传感器,可拓宽其测压上限。动高压测试结果表明,该传感器所承受的压力为55.32GPa,压阻系数为...
关键词：箔式锰铜传感器 AL2O3薄膜 动态高压测试 
新型箔式锰铜超高压力传感器被引量：1
《材料导报》2005年第F11期464-465,共2页崔红玲 杨邦朝 杜晓松 周鸿仁 滕林 
“十五”电子预研资助项目（AW030412）
为了提高锰铜超高压力传感器的测压上限，须采用超高压力下绝缘性能好的无机材料作为绝缘封装层。用Al2O3薄膜作箔式锰铜超高压力传感器的绝缘层，代替现有箔式锰铜计中所使用的粘胶剂及PTFE膜，从根本上消除高压旁路效应，提高传感器...
关键词：箔式锰铜传感器 AL2O3薄膜 动态高压测试 超高压力传感器 绝缘层 
超高压力传感器绝缘封装薄膜的工艺研究被引量：2
《电子元件与材料》2004年第12期25-27,共3页崔红玲 杨邦朝 杜晓松 滕林 周鸿仁 
电子预研基金资助项目(AW030412)
为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层。采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究。最终得出:由99.99%的三氧化二铝原料制备...
关键词：电子技术 锰铜传感器 三氧化二铝 绝缘薄膜 电子束蒸发 致密性 
锰铜薄膜的制备及压阻特性
《电子元件与材料》2004年第9期3-5,共3页杨邦朝 滕林 杜晓松 周鸿仁 
军事电子预研基金资助项目(AW030412)
为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数。研究结果表明,晶粒尺寸决定了薄膜的压阻系数,经360℃热处理1h...
关键词：锰铜薄膜 X射线衍射 扫描电镜 压阻系数 
磁控溅射镱薄膜的制备及压阻特性被引量：3
《真空科学与技术学报》2004年第6期472-474,480,共4页滕林 杨邦朝 杜晓松 周鸿仁 
军事电子预研基金资助 (No.AW0 3 0 412 )
使用直流磁控溅射的方法在聚酰亚胺上制备镱薄膜 ,XRD分析薄膜的晶体结构 ,SEM表征薄膜的形貌 ,利用一级轻气炮进行了 1 5GPa～ 2 5GPa的冲击加载压阻测试。研究结果表明 ,压阻系数依赖于薄膜的晶粒尺寸 ,经 30 0℃热处理 1h ,镱薄膜...
关键词：薄膜结构 系数 直流磁控溅射 晶体结构 表征 冲击加载 形貌 晶粒尺寸 晶粒长大 热处理 
阵列式薄膜锰铜计的动态压阻响应研究
《高压物理学报》2004年第3期279-282,共4页滕林 杨邦朝 杜晓松 周鸿仁 崔红玲 
军事电子预研基金资助项目(AW030412)
利用直流磁控溅射薄膜工艺制备阵列式薄膜锰铜压阻计,以氧化铝作为基片和绝缘封装材料。在结构上,4个具有相同阻值的薄膜锰铜计在同一氧化铝基片上呈对称分布。51 72GPa压力下的动态加载实验表明,4个计的压阻一致性好,无高压旁路效应,...
关键词：薄膜 阵列式 对称分布 基片 直流磁控溅射 氧化铝 一致性 工艺 制备 动态加载 
介质薄膜的制备及其电性能的测试分析被引量：1
《电子元件与材料》2004年第5期39-40,51,共3页崔红玲 杨邦朝 杜小松 滕林 周鸿仁 
电子预研基金(AW030412)
以Al_2O_3薄膜为例,介绍了用电子束蒸发制备介质薄膜的工艺。研究了不同退火条件下Al_2O_3薄膜的电性能,优化出最佳的热处理条件为400℃、氧气气氛中,热处理3 h。并对制得的Al_2O_3薄膜进行了SEM表面和断面分析,结果表明制得的Al_2O_3...
关键词：二氧化二铝薄膜 电子束蒸发 电性能测试 电阻率 
镱薄膜传感器压阻灵敏度的研究被引量：4
《高压物理学报》2004年第1期90-93,共4页滕林 杨邦朝 杜晓松 周鸿仁 崔红玲 肖庆国 
军事电子预研基金资助项目(AW030412)
采用真空蒸发工艺制备镱薄膜传感器,在小于1GPa压力范围内对未经任何处理和300℃真空热处理1h两组镱薄膜传感器进行准静态加载标定,后者的压阻系数明显高于前者,并且大于箔式镱传感器的压阻系数,结合扫描电镜和电学性能测试分析,发现热...
关键词：镱薄膜 传感器 压阻灵敏度 准静态加载 压阻系数 热处理 X射线衍射谱 
阵列化锰铜高压传感器的研制被引量：1
《传感器技术》2003年第10期27-29,共3页段建华 杨邦朝 杜晓松 周鸿仁 
通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器。采用熔融石英材料作为绝缘基板。在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜。并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜。根据"后置"...
关键词：阵列化锰铜高压传感器 熔融石英 后置式 压力测量 
锰铜精密电阻薄膜的制备工艺研究被引量：2
《仪器仪表学报》2002年第z1期320-321,共2页杜晓松 杨邦朝 周鸿仁 段建华 
采用溅射技术 ,对薄膜沉积的相关工艺参数进行了优化 ,获得了电阻温度系数 TCR≤± 10× 10 - 6 /℃的锰铜薄膜。该项技术为锰铜传感器的薄膜化奠定了基础 。
关键词：锰铜 薄膜 电阻温度系数 溅射 
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